[發明專利]光取出結構、其制作方法及發光器件

有效

• 申請號: 201811498138.3
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109585685B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 顧辛艷
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;路秀麗

1.一種光取出結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：

提供基底；

利用第一溶液在所述基底上濕法制作第一膜層，其中，所述第一溶液包括材料A和溶劑B；

對所述第一膜層進行干燥，形成具有多孔結構的第一膜層，且至少部分所述多孔結構直接連通所述基底，在形成所述具有多孔結構的第一膜層的步驟后，所述制作方法還包括：

在所述具有多孔結構的第一膜層上設置材料C，形成第二膜層，其中部分所述材料C通過所述多孔結構設置在所述基底上；以及

去除所述第一膜層以及設置在所述第一膜層表面上的第二膜層，保留位于所述基底上的所述材料C形成凸起結構，所述凸起結構即為所述光取出結構。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度，所述第一膜層的厚度為10nm~10μm。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用溶劑沖洗或膠帶剝離的方式去除所述第一膜層及設置在所述第一膜層表面上的第二膜層。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑沖洗采用所述第一膜層的良溶劑進行沖洗。

5.根據權利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，所述基底為功能性膜層、電極層或非功能性的載體。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述功能性膜層選自空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層及電子阻擋層中的任意一種。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于， 所述非功能性的載體為透明基材。

8.根據權利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑B包括第一沸點溶劑，所述第一沸點溶劑選自沸點為80℃~300℃的有機溶劑中的一種或多種。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑B還包括第二沸點溶劑，所述第二沸點溶劑選自沸點為60℃~120℃的有機溶劑中的一種或多種。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑B中所述第一沸點溶劑與所述第二沸點溶劑的體積比為95:5~5:95。

11.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一沸點溶劑的熔點≥15℃。

12.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述材料A選自以下材料中的一種或多種：高分子材料、氧化物納米晶、納米銀線、銀墨水、無機顆粒物、光固化膠水組合物、熱固化膠水組合物及溶膠凝膠。

13.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述材料A選自高分子材料中的一種或多種，所述高分子材料的分子量不小于1000，且玻璃化轉變溫度T_g≥80℃。

14.根據權利要求1或12任一所述的制作方法，其特征在于，所述材料C選自以下材料中的一種或多種：金屬氧化物、氮化物、氮氧化合物、氟化物及金屬。

15.一種光取出結構，其特征在于，所述光取出結構采用權利要求1至14任一所述的制作方法制作而成。