[發明專利]一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件及制造方法

在審

• 申請號: 201811489003.0
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN109616519A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 周章渝;張青竹;王待強;陳雨青
• 申請（專利權）人: 貴陽學院
• 主分類號: H01L29/775
• 分類號: H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00
• 代理公司: 長沙星耀專利事務所(普通合伙) 43205
• 代理人: 舒欣

1.一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件，其特征在于，包括硅襯底、氧化物、淺槽隔離、淺槽隔離、輕摻雜漏區，硅襯底上設置有氧化物和淺槽隔離,氧化物上方設置有輕摻雜漏區，輕摻雜漏區兩側分別設置有P+和N+,輕摻雜漏區內部設置有金屬鎢，金屬鎢內設置有功能函數層，功能函數層內有介質層和負電容。

2.一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、采用200mm硅晶圓；

(2)、采用“側墻圖形轉移”技術實現鰭狀結構；

(3)、具有凹槽的鰭狀結構刻蝕；

(4)、絕緣隔離鰭體制作；

(5)、假柵制作；

(6)、側墻&源漏極形成；

(7)、掩膜層LPSi₃N₄沉積；

(8)、化學機械平坦化工藝&去除假柵堆疊；

(9)、兩種技術實現NW；

(10)、原子沉積工藝形成高K柵堆疊；

(11)、源漏接觸&金屬pad形成工藝。

3.根據權利要求2所述的一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件的制作方法，其特征在于，所述的步驟(4)包括具體包括：(a)刻蝕fin；(b)氧化。

4.根據權利要求2所述的一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件的制作方法，其特征在于，所述的步驟(9)包括Fin尾巴釋放和NW圓化和收縮；所述的NW圓化和收縮包括NW氧化形成和NW由H₂退火形成。

5.根據權利要求3所述的一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件的制作方法，其特征在于，所述的Fin刻蝕采用各向同性和各項異形刻蝕，形成帶有凹槽的Fin，然后通過一步氧化形成隔離的Fin。

6.根據權利要求4所述的一種零亞閾擺幅零碰撞電離晶體管器件的制作方法，其特征在于，所述的步驟(9)具體是用濕法刻蝕工藝稀氫氟酸釋放Fin尾巴，然后在在減壓環境氫氣退火，形成圓形納米線。