[發明專利]一種微小盲孔的填鍍系統及方法

在審

• 申請號: 201811487029.1
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN109609987A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 王欣;曾祥福;周剛
• 申請（專利權）人: 廣東科翔電子科技有限公司
• 主分類號: C25D5/08
• 分類號: C25D5/08;C25D5/18;C25D7/00;C25D3/38;C25D17/00;C25D21/12;C25D21/14
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 葉新平

1.一種微小盲孔的填鍍系統，其特征在于，包括前部銅缸及固定于所述前部銅缸上方的前部藥水添加器，中部銅缸及固定于所述中部銅缸上方的中部藥水添加器，后部銅缸及固定于所述后部銅缸上方的后部藥水添加器；還包括分別連通所述前部銅缸、中部銅缸、后部銅缸的前部冰水控制組件、中部冰水控制組件、后部冰水控制組件；還包括分別連通所述前部銅缸、中部銅缸、后部銅缸的前部噴流控制組件、中部噴流控制組件、后部噴流控制組件；還包括分別作用于所述前部銅缸、中部銅缸、后部銅缸的前部電流控制組件、中部電流控制組件、后部電流控制組件；

所述前部藥水添加器、前部冰水控制組件、前部噴流控制組件、前部電流控制組件用于分別以第一滴定速度、第一出水策略、第一噴流頻率、第一電流密度作用于所述前部銅缸；

所述中部藥水添加器、中部冰水控制組件、中部噴流控制組件、中部電流控制組件用于分別以第二滴定速度、第二出水策略、第二噴流頻率、第二電流密度作用于所述中部銅缸；

所述后部藥水添加器、后部冰水控制組件、后部噴流控制組件、后部電流控制組件用于分別以第三滴定速度、第三出水策略、第三噴流頻率、第三電流密度作用于所述后部銅缸。

2.如權利要求1所述的一種微小盲孔的填鍍系統，其特征在于：所述前部藥水添加器、中部藥水添加器、后部藥水添加器中吸取有相同濃度的填孔藥水；所述第一滴定速度恒定，所述第二滴定速度在一個周期內在所述第一滴定速度的基礎上增大，所述第三滴定速度恒定。

3.如權利要求2所述的一種微小盲孔的填鍍系統，其特征在于：所述第一出水策略為，控制所述前部銅缸的溫度為22～24℃；所述第二出水策略為，控制所述中部銅缸的溫度為18～24℃；所述第三出水策略為，控制所述后部銅缸的溫度為18～24℃。

4.如權利要求1所述的一種微小盲孔的填鍍系統，其特征在于：所述前部噴流控制組件、中部噴流控制組件、后部噴流控制組件噴出的銅離子密度相同，且配合所述第一噴流頻率、第二噴流頻率、第三噴流頻率，獨立控制所述前部銅缸、中部銅缸、后部銅缸中銅離子的濃度為140～180g/L；

所述第一噴流頻率為40～50Hz，所述第一電流密度不高于7ASF；所述第二噴流頻率為30～40Hz，所述第二電流密度為8～14ASF；所述第三噴流頻率為30Hz，所述第三電流密度為不小于14ASF。

5.一種微小盲孔的填鍍方法，應用于權利要求1～4所述的填鍍系統，其特征在于，具體包括步驟：

S1.保持前部銅缸中，銅離子在第一銅離子濃度范圍內、填孔藥水在第一藥水濃度范圍內、混合物在第一溫度范圍內、電流在第一電流濃度范圍內；

S2.保持中部銅缸中，銅離子在第二銅離子濃度范圍內、填孔藥水在第二藥水濃度范圍內、混合物在第二溫度范圍內、電流在第二電流濃度范圍內；

S3.保持后部銅缸中，銅離子在第三銅離子濃度范圍內、填孔藥水在第三藥水濃度范圍內、混合物在第三溫度范圍內、電流在第三電流濃度范圍內。

6.如權利要求5所述的一種微小盲孔的填鍍方法，其特征在于：

所述第二藥水濃度范圍大于所述第一藥水濃度范圍或所述第三藥水濃度范圍。

7.如權利要求6所述的一種微小盲孔的填鍍方法，其特征在于：

在所述步驟S1中，所述第一銅離子濃度范圍為140～180g/L，所述第一溫度范圍為22～24℃，所述第一電流濃度范圍為(0，7ASF]。

8.如權利要求6所述的一種微小盲孔的填鍍方法，其特征在于：

在所述步驟S2中，所述第二銅離子濃度范圍為140～180g/L，所述第二溫度范圍為18～24℃，所述第二電流濃度范圍為[8，14ASF]。

9.如權利要求6所述的一種微小盲孔的填鍍方法，其特征在于：

在所述步驟S3中，所述第三銅離子濃度范圍為140～180g/L，所述第三溫度范圍為18～24℃，所述第三電流濃度范圍為不小于14ASF。