[發明專利]內埋式芯片封裝及其制作方法與疊層封裝結構

有效

• 申請號: 201811486670.3
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN111293098B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 林柏丞;譚瑞敏;簡俊賢;陳建州
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/13;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本發明提供一種內埋式芯片封裝及其制作方法與疊層封裝結構，所述內埋式芯片封裝包括線路板、芯片、介電材料層以及增層線路結構。線路板包括玻璃基板以及至少一導電通孔。玻璃基板具有第一表面、與第一表面相對的第二表面以及貫穿玻璃基板的穿槽。導電通孔貫穿玻璃基板。芯片配置于穿槽內。介電材料層填充于穿槽內，且包覆芯片。增層線路結構配置于線路板上。增層線路結構與導電通孔電性連接。芯片的下表面暴露于介電材料層外。

技術領域

本發明涉及一種芯片封裝及其制作方法與疊層封裝結構，尤其涉及一種內埋式芯片封裝及其制作方法與疊層封裝結構。

背景技術

目前的芯片封裝的方式皆需要先有一層封裝膠層來保護芯片，之后再繼續增層其他線路或是朝二維的方向做封裝。然后，此時的堆疊以及組裝往往會造成較大的翹曲，進而影響封裝的良率以及后續的可靠度。

發明內容

本發明提供一種內埋式芯片封裝，具有較佳的封裝良率及可靠度。

本發明提供一種疊層封裝結構，具有可增加堆疊結構和線路的好處。

本發明提供一種內埋式芯片封裝的制作方法，以制作上述的內埋式芯片封裝，可改善增層線路或封裝所產生的翹曲問題。

本發明的內埋式芯片封裝包括線路板、芯片、介電材料層以及增層線路結構。線路板包括玻璃基板以及至少一導電通孔。玻璃基板具有第一表面、與第一表面相對的第二表面以及貫穿玻璃基板的穿槽。導電通孔貫穿玻璃基板。芯片配置于穿槽內。介電材料層填充于穿槽內，且包覆芯片。增層線路結構配置于線路板上。增層線路結構與導電通孔電性連接。芯片的下表面暴露于介電材料層外。

在本發明的一實施例中，上述的芯片的下表面與玻璃基板的第二表面齊平。

在本發明的一實施例中，上述的增層線路結構包括第一線路層、第一介電層、第二線路層以及至少一第一導通孔。第一介電層覆蓋第一線路層。第二線路層與第一線路層分別位于第一介電層的相對兩側。第一導通孔貫穿第一介電層，以電性連接第一線路層與第二線路層。

在本發明的一實施例中，上述的增層線路結構配置于玻璃基板的第一表面。內埋式芯片封裝還包括圖案化導電層以及錫球或銅柱。圖案化導電層配置于玻璃基板的第二表面，以使增層線路結構與圖案化導電層分別位于玻璃基板的相對兩側。錫球或銅柱配置于圖案化導電層上，以使錫球或銅柱與線路板分別位于圖案化導電層的相對兩側。

在本發明的一實施例中，上述的芯片的下表面為主動表面。主動表面朝向圖案化導電層且與圖案化導電層電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的增層線路結構通過導電通孔與圖案化導電層電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的增層線路結構配置于玻璃基板的第二表面。內埋式芯片封裝還包括錫球或銅柱。錫球或銅柱配置于增層線路結構上，以使錫球或銅柱與線路板分別位于增層線路結構的相對兩側。

在本發明的一實施例中，上述的芯片的下表面為主動表面。主動表面朝向增層線路結構且與增層線路結構電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的穿槽連接玻璃基板的第一表面與第二表面。

本發明的疊層封裝結構包括電路板、至少一上述內埋式芯片封裝(增層線路結構配置于玻璃基板的第一表面)(以下簡稱為第一內埋式芯片封裝)以及上述內埋式芯片封裝(增層線路結構配置于玻璃基板的第二表面)(以下簡稱為第二內埋式芯片封裝)。第一內埋式芯片封裝配置于電路板上。第二內埋式芯片封裝配置于第一內埋式芯片封裝上。其中，第二內埋式芯片封裝與電路板分別位于第一內埋式芯片封裝的相對兩側。

在本發明的一實施例中，第二內埋式芯片封裝的錫球或銅柱與第一內埋式芯片封裝的增層線路結構電性連接。第一內埋式芯片封裝的的錫球或銅柱與電路板電性連接。