[發明專利]內埋式芯片封裝及其制作方法與疊層封裝結構有效
| 申請號: | 201811486670.3 | 申請日: | 2018-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN111293098B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 林柏丞;譚瑞敏;簡俊賢;陳建州 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/13;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內埋式 芯片 封裝 及其 制作方法 結構 | ||
1.一種內埋式芯片封裝,包括:
線路板,包括:
玻璃基板,具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及貫穿所述玻璃基板的穿槽;以及
至少一導電通孔,貫穿所述玻璃基板,所述導電通孔的兩端分別與所述玻璃基板的所述第一表面與所述第二表面齊平;
芯片,配置于所述穿槽內;
介電材料層,填充于所述穿槽內且包覆所述芯片;以及
增層線路結構,配置于所述線路板上,其中所述增層線路結構與所述導電通孔電性連接,且所述芯片的下表面暴露于所述介電材料層外,其中所述增層線路結構包括:
第一線路層,直接接觸所述導電通孔的所述兩端中的任一端;
第一介電層,覆蓋所述第一線路層;
第二線路層,與所述第一線路層分別位于所述第一介電層的相對兩側;以及
至少一第一導通孔,貫穿所述第一介電層,以電性連接所述第一線路層與所述第二線路層。
2.根據權利要求1所述的內埋式芯片封裝,其中所述芯片的所述下表面與所述玻璃基板的所述第二表面齊平。
3.根據權利要求1所述的內埋式芯片封裝,其中所述增層線路結構配置于所述玻璃基板的所述第一表面,所述內埋式芯片封裝還包括:
圖案化導電層,配置于所述玻璃基板的所述第二表面,以使所述增層線路結構與所述圖案化導電層分別位于所述玻璃基板的相對兩側;以及
錫球或銅柱,配置于所述圖案化導電層上,以使所述錫球或所述銅柱與所述線路板分別位于所述圖案化導電層的相對兩側。
4.根據權利要求3所述的內埋式芯片封裝,其中所述芯片的所述下表面為主動表面,所述主動表面朝向所述圖案化導電層且與所述圖案化導電層電性連接。
5.根據權利要求3所述的內埋式芯片封裝,其中所述增層線路結構通過所述導電通孔與所述圖案化導電層電性連接。
6.根據權利要求1所述的內埋式芯片封裝,其中所述增層線路結構配置于所述玻璃基板的所述第二表面,所述內埋式芯片封裝還包括:
錫球或銅柱,配置于所述增層線路結構上,以使所述錫球或所述銅柱與所述線路板分別位于所述增層線路結構的相對兩側。
7.根據權利要求6所述的內埋式芯片封裝,其中所述芯片的所述下表面為主動表面,所述主動表面朝向所述增層線路結構且與所述增層線路結構電性連接。
8.根據權利要求1所述的內埋式芯片封裝,其中所述穿槽連接所述玻璃基板的所述第一表面與所述第二表面。
9.一種疊層封裝結構,包括:
電路板;
至少一如權利要求3所述的內埋式芯片封裝,配置于所述電路板上;以及
如權利要求6所述的內埋式芯片封裝,配置于所述如權利要求3所述的內埋式芯片封裝上,其中所述如權利要求6所述的內埋式芯片封裝與所述電路板分別位于所述如權利要求3所述的內埋式芯片封裝的相對兩側。
10.根據權利要求9所述的疊層封裝結構,其中所述如權利要求6所述的內埋式芯片封裝的所述錫球或所述銅柱與所述如權利要求3所述的內埋式芯片封裝的所述增層線路結構電性連接,且所述如權利要求3所述的內埋式芯片封裝的所述錫球或所述銅柱與所述電路板電性連接。
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