[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811485701.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110838409B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 車炅津;權(quán)亨純;趙志弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01G4/30 | 分類號(hào): | H01G4/30;H01G4/008;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 包國(guó)菊;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 陶瓷 電子 組件 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種多層陶瓷電子組件,所述多層陶瓷電子組件包括:主體,包括與介電層交替布置的內(nèi)電極;以及外電極,設(shè)置在所述主體上并連接到所述內(nèi)電極。所述內(nèi)電極包括多個(gè)鎳(Ni)晶粒,并且包括錫(Sn)和鎳(Ni)的復(fù)合層形成在所述鎳(Ni)晶粒的晶界處。
本申請(qǐng)要求于2018年8月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0095349號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益,該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種多層陶瓷電子組件。
背景技術(shù)
作為一種多層陶瓷電子組件的多層電容器,是安裝在包括諸如液晶顯示器(LCD)和等離子體顯示板(PDP)的顯示裝置、計(jì)算機(jī)、智能電話、蜂窩電話等各種電子產(chǎn)品的印刷電路板上的片式電容器,并且用于充電或放電。
這種多層電容器由于其小尺寸、可靠的高容量和易于安裝而可用作各種電子裝置的組件。隨著最近電子裝置的組件的小型化,對(duì)多層電容器的小型化和高容量的需求在增長(zhǎng)。
為了實(shí)現(xiàn)多層電容器中的小型化和高容量,能夠形成具有小的厚度的內(nèi)電極和介電層的技術(shù)是必要的。
通常,為了形成具有小的厚度的內(nèi)電極,有必要使用比現(xiàn)有粉末顆粒細(xì)的金屬粉末顆粒。這是因?yàn)樵诒”〉赜∷⒌膬?nèi)電極的厚度方向上,存在5至6個(gè)細(xì)金屬粉末顆粒可防止在收縮工藝期間可能發(fā)生的斷裂現(xiàn)象。
然而,當(dāng)使用比現(xiàn)有粉末顆粒細(xì)的金屬粉末顆粒時(shí),由于收縮起始溫度可降低,因此內(nèi)電極和陶瓷層的收縮行為方面的差異增大,這導(dǎo)致在收縮工藝期間內(nèi)電極聚集現(xiàn)象和內(nèi)電極斷裂現(xiàn)象會(huì)惡化的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)的一方面可提供一種通過(guò)抑制電極斷裂現(xiàn)象和電極聚集現(xiàn)象而具有高可靠性的小型、高容量的多層陶瓷電子組件。
根據(jù)本公開(kāi)的一方面,一種多層陶瓷電子組件可包括:主體,包括與介電層交替布置的內(nèi)電極;以及外電極,設(shè)置在所述主體上并連接到所述內(nèi)電極;其中,所述內(nèi)電極包括多個(gè)鎳(Ni)晶粒,并且包括錫(Sn)和鎳(Ni)的復(fù)合層形成在所述鎳(Ni)晶粒的晶界處。
根據(jù)本公開(kāi)的另一方面,一種多層陶瓷電子組件可包括:主體,包括與介電層交替布置的內(nèi)電極;以及外電極,設(shè)置在所述主體上并連接到所述內(nèi)電極,其中,所述內(nèi)電極包括多個(gè)鎳(Ni)晶粒,并且包括錫(Sn)和鎳(Ni)的復(fù)合層形成在所述鎳(Ni)晶粒的晶界處,其中,所述介電層包括多個(gè)介電晶粒,其中,在所述多個(gè)介電晶粒的晶界處包括錫(Sn),其中,所述多個(gè)介電晶粒的一部分具有核-殼結(jié)構(gòu),并且其中,在所述殼中包括錫(Sn)。
附圖說(shuō)明
通過(guò)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述,本公開(kāi)的以上和其他方面、特征及優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解,在附圖中:
圖1是示意性示出根據(jù)本公開(kāi)中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的透視圖;
圖2是沿圖1的線I-I’截取的截面圖;
圖3A和3B是示出根據(jù)本公開(kāi)中的示例性實(shí)施例的用于制造多層陶瓷電子組件的陶瓷生片的示圖;
圖4是圖2中的A部分的放大圖;
圖5是根據(jù)本公開(kāi)中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的內(nèi)電極和介電層的照片;
圖6是示意性示出根據(jù)本公開(kāi)中的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的介電層的示意圖;以及
圖7是根據(jù)本公開(kāi)中的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的內(nèi)電極和介電層的照片。
具體實(shí)施方式
在下文中,現(xiàn)將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)中的示例性實(shí)施例。
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