[發明專利]多層陶瓷電子組件

有效

• 申請號: 201811485701.3
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN110838409B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 車炅津;權亨純;趙志弘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/008;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;劉奕晴

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

主體，包括與介電層交替布置的內電極；以及

外電極，設置在所述主體上并連接到所述內電極，

其中，所述內電極包括多個鎳晶粒，并且包括錫和鎳的復合層形成在所述鎳晶粒的晶界處，

其中，包括錫和鎳的所述復合層的厚度在1nm至15nm的范圍內，并且

其中，在所述復合層中，基于所述復合層的總含量，錫的摩爾比大于或等于0.0001。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，包括錫和鎳的所述復合層基本上圍繞所述鎳晶粒中的至少一個。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小，并且所述內電極的厚度為0.4μm或更小。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，85％≤C，其中，C是實際內電極形成的部分的長度相對于所述內電極的總長度的比。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，

其中，所述內電極利用內電極膏形成，所述內電極膏包括在其表面上具有含錫的涂層的鎳粉末或者包括合金形式的含錫的鎳粉末，并且

其中，相對于所述鎳粉末，錫含量為1.5wt％或更大。

6.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述鎳粉末的平均粒徑為100nm或更小。

7.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述鎳粉末還包含硫，并且基于所述鎳粉末的總含量，所述硫的含量大于0且小于或等于300ppm。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多層陶瓷電子組件具有0.4mm或更小的長度和0.2mm或更小的寬度。

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小。

10.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述內電極的厚度為0.4μm或更小。

11.一種多層陶瓷電子組件，包括：

主體，包括與介電層交替布置的內電極；以及

外電極，設置在所述主體上并連接到所述內電極，

其中，所述內電極包括多個鎳晶粒，并且包括錫和鎳的復合層形成在所述鎳晶粒的晶界處，

其中，所述介電層包括多個介電晶粒，

其中，在所述多個介電晶粒的晶界處包括錫，

其中，所述多個介電晶粒的一部分具有核-殼結構，

其中，在具有所述核-殼結構的所述介電晶粒的殼中包括錫，

其中，包括錫和鎳的所述復合層的厚度在1nm至15nm的范圍內，并且

其中，在具有所述核-殼結構的所述介電晶粒的所述殼中，基于所述殼的總含量，錫的摩爾比大于或等于0.0001。

12.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，在所述多個介電晶粒中，具有所述核-殼結構的介電晶粒是介電晶粒的總數的20％或更大。

13.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小，并且所述內電極的厚度為0.4μm或更小。

14.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多層陶瓷電子組件具有0.4mm或更小的長度和0.2mm或更小的寬度。

15.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，85％≤C，其中，C是實際內電極形成的部分的長度相對于所述內電極的總長度的比。

16.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小。

17.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述內電極的厚度為0.4μm或更小。