[發明專利]光罩及光罩的制作方法在審
| 申請號: | 201811480473.0 | 申請日: | 2018-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN109634052A | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 吳川 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 膜層 半透膜層 非弧形 光罩 溝道形成區 透光量 有效地 遮光層 良率 失焦 制作 | ||
本發明涉及一種光罩,包括:半透膜層;遮光層,設置在所述半透膜層上,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區;所述溝道形成區中的半透膜層包括弧形膜層和非弧形膜層,所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。本發明中,弧形膜層的厚度大于非弧形膜層的厚度,增大了弧形膜層的透光量,有效地降低了弧形膜層出現失焦的幾率,提升工藝良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種光罩及光罩的制作方法。
背景技術
在陣列基板制造中通常需使用五至六個光罩,由于光刻工藝昂貴而會增加液晶顯示器的制造成本,因此有必要減少使用的掩膜數量,而減少使用的掩膜數量的方法一般為配合半透型光罩對光阻膠層進行曝光顯影,形成不同厚度的光刻膠層,以減少一個光罩。
但上述方法應用在實際生產過程中,由于光線具有一定的散射作用,在保證與溝道形成區的非弧形區域相對應的光阻膠層能順利完成半透曝光時,溝道形成區的弧形區域會存在一定幾率的失焦,導致與溝道形成區的弧形區域相對應的光阻膠層無法順利完成半透曝光,使得該處的光阻膠層被完全留下,致使生產流程結束后,源極和漏極被連接在一起,薄膜晶體管失去開關作用。
發明內容
基于此,有必要針對上述問題,提供一種光罩及光罩的制作方法,能降低與溝道形成區的弧形區域相對應的光阻膠層進行曝光時發生失焦的幾率,提升工藝良率。
一種光罩,包括:
半透膜層;
遮光層,設置在所述半透膜層上,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區;
所述溝道形成區中的半透膜層包括弧形膜層和非弧形膜層,所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
在其中一個實施例中,所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層,所述第一遮光層和第二遮光層分別位于所述溝道形成區的兩側。
在其中一個實施例中,所述第一遮光層與所述第二遮光層分別對應源極形成區和漏極形成區。
在其中一個實施例中,所述弧形膜層的外邊緣向所述第一遮光層方向延伸,使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
在其中一個實施例中,所述溝道形成區的橫截面為U形。
上述光罩,弧形膜層的厚度大于非弧形膜層的厚度,增大了弧形膜層的透光量,有效地降低了弧形膜層出現失焦的幾率,提升工藝良率。
基于上述發明構思,提出一種光罩,包括:
半透膜層;
遮光層,設置在所述半透膜層上,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區;
所述溝道形成區中的半透膜層包括弧形膜層和非弧形膜層,所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度;
其中,所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層,所述第一遮光層和所述第二遮光層分別位于所述溝道形成區的兩側;
所述第一遮光層與所述第二遮光層分別對應源極形成區和漏極形成區;
所述弧形膜層的外邊緣向所述第一遮光層方向延伸,使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度;
所述溝道形成區的橫截面為U形。
上述光罩,弧形膜層的厚度大于非弧形膜層的厚度,增大了弧形膜層的透光量,有效地降低了弧形膜層出現失焦的幾率,提升工藝良率。
基于上述發明構思,提出一種光罩的制作方法,包括:
在基板上設置半透膜層;
在半透膜層上設置遮光層,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于惠科股份有限公司,未經惠科股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811480473.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半色調掩膜版濕法灰化制作方法
- 下一篇:基于圖形補償的光刻版及其制作方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





