[發(fā)明專利]光罩及光罩的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811480473.0 | 申請日: | 2018-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN109634052A | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳川 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 膜層 半透膜層 非弧形 光罩 溝道形成區(qū) 透光量 有效地 遮光層 良率 失焦 制作 | ||
1.一種光罩,其特征在于,包括:
半透膜層;
遮光層,設(shè)置在所述半透膜層上,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區(qū);
所述溝道形成區(qū)中的半透膜層包括弧形膜層和非弧形膜層,所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩,其特征在于,所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層,所述第一遮光層和所述第二遮光層分別位于所述溝道形成區(qū)的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光罩,其特征在于,所述第一遮光層與所述第二遮光層分別對應(yīng)源極形成區(qū)和漏極形成區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光罩,其特征在于,所述弧形膜層的外邊緣向所述第一遮光層方向延伸,使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩,其特征在于,所述溝道形成區(qū)的橫截面為U形。
6.一種光罩,其特征在于,包括:
半透膜層;
遮光層,設(shè)置在所述半透膜層上,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區(qū);
所述溝道形成區(qū)中的半透膜層包括弧形膜層和非弧形膜層,所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度;
其中,所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層,所述第一遮光層和所述第二遮光層分別位于所述溝道形成區(qū)的兩側(cè);
所述第一遮光層與所述第二遮光層分別對應(yīng)源極形成區(qū)和漏極形成區(qū);
所述弧形膜層的外邊緣向所述第一遮光層方向延伸,使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度;
所述溝道形成區(qū)的橫截面為U形。
7.一種光罩的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上設(shè)置半透膜層;
在半透膜層上設(shè)置遮光層,露出部分所述半透膜層以作為溝道形成區(qū);
其中,將溝道形成區(qū)中的半透膜層劃分為弧形膜層和非弧形膜層,并使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層,將所述第一遮光層和所述第二遮光層分別設(shè)置在所述溝道形成區(qū)的兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光罩的制作方法,其特征在于,令所述第一遮光層與所述第二遮光層分別對應(yīng)源極形成區(qū)和漏極形成區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光罩的制作方法,其特征在于,將所述弧形膜層的外邊緣向所述第一遮光層方向延伸,使所述弧形膜層的厚度大于所述非弧形膜層的厚度。
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G03 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





