[發(fā)明專利]集成電路封裝件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811476004.1
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN110112115B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 侯上勇;黃松輝;黃冠育;胡憲斌;林于順;黃賀昌;夏興國;洪志杰;施應慶;高金福;魏文信;郭立中;吳集錫;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L25/075;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成集成電路封裝件的方法，包括：

將集成電路管芯附接至第一襯底；

形成偽管芯，所述偽管芯內具有第一環(huán)形結構和位于所述第一環(huán)形結構所限定區(qū)域內的內部部分；

將所述偽管芯附接至所述第一襯底，所述偽管芯與所述集成電路管芯相鄰；

在所述第一襯底上方并且在所述偽管芯和所述集成電路管芯周圍形成密封劑；

平坦化所述密封劑、所述偽管芯和所述集成電路管芯，所述密封劑的最上表面與所述偽管芯的最上表面、所述第一環(huán)形結構的最上表面和所述集成電路管芯的最上表面齊平；以及，

去除所述第一環(huán)形結構，在去除所述第一環(huán)形結構之后，去除所述偽管芯的所述內部部分，所述偽管芯的剩余部分形成第二環(huán)形結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述偽管芯包括：

圖案化第二襯底以在所述第二襯底中形成開口，所述開口在平面圖中具有環(huán)形形狀；以及

在所述開口中沉積絕緣材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，平坦化所述密封劑、所述偽管芯和所述集成電路管芯包括暴露所述絕緣材料。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，去除所述偽管芯的內部部分包括：

去除所述絕緣材料，其中，在去除所述絕緣材料之后，將所述偽管芯分離成內部區(qū)和外圍區(qū)；以及

從所述第一襯底拾取所述內部區(qū)，所述外圍區(qū)形成所述第二環(huán)形結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，去除所述絕緣材料包括使用激光鉆孔方法去除所述絕緣材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，使用粘合劑將所述偽管芯附接至所述第一襯底。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將功能組件放置在所述第二環(huán)形結構內；以及

將所述功能組件接合至所述第一襯底，其中，所述功能組件和所述第二環(huán)形結構具有不同的高度。

8.一種形成集成電路封裝件的方法，包括：

將集成電路管芯附接至第一襯底的第一側；

形成偽管芯，所述偽管芯包括位于所述偽管芯內的第一環(huán)形結構；

將所述偽管芯附接至所述第一襯底的第一側，所述偽管芯與所述集成電路管芯相鄰；

在所述第一襯底上方并且在所述偽管芯和所述集成電路管芯周圍形成模塑料，所述模塑料的頂面與所述偽管芯的最上表面、所述第一環(huán)形結構的最上表面和所述集成電路管芯的最上表面齊平；

去除所述第一環(huán)形結構，在去除所述第一環(huán)形結構之后，所述偽管芯分離成內部區(qū)和外圍環(huán)形區(qū)；

使所述偽管芯的內部區(qū)與所述第一襯底脫離，所述偽管芯的外圍環(huán)形區(qū)形成第二環(huán)形結構；

將功能組件放置在所述第二環(huán)形結構內且在所述第一襯底的第一側上；以及

將所述功能組件附接至所述第一襯底的第一側。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述偽管芯包括：

圖案化第二襯底以在所述第二襯底中形成開口，所述開口在平面圖中具有環(huán)形形狀；以及

在所述開口中沉積絕緣材料以形成所述第一環(huán)形結構。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，去除所述第一環(huán)形結構包括實施激光鉆孔工藝。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，使用粘合劑將所述偽管芯附接至所述第一襯底的第一側。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述功能組件和所述第二環(huán)形結構具有不同的高度。

13.根據權利要求8所述的方法，還包括：在所述第一襯底的第二側上形成多個連接件，所述第一襯底的第二側與所述第一襯底的第一側相對。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一襯底包括中介片。