[發明專利]發光器件和顯示裝置有效
| 申請號: | 201811475129.2 | 申請日: | 2018-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN111276510B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 顏明哲;郭恩卿 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 胡艾青;劉芳 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 顯示裝置 | ||
本發明提供的一種發光器件和顯示裝置中,位于陣列基板上的子像素包括有相對設置的第一電極和第二電極,和位于第一電極和第二電極之間的量子遷移層,第一電極和第二電極對量子遷移層施加控制電場,量子遷移層包括同層設置的非出光區和與背光源對應的出光區,量子遷移層的容置腔中封裝有可以被控制電場驅使而在出光區和非出光區中進行遷移運動的透明帶電粒子和量子點,背光源發出的光進入出光區,在出光區集聚有量子點時,量子點被激發發光,在出光區無量子點時,背光源發出的光直接穿過出光區出射,利用背光源的出射發出紅色、綠色或藍色的光,實現單個子像素對兩種顏色的選擇發光,提高了每個子像素的利用率,從而提高了顯示裝置的像素密度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發光器件和顯示裝置。
背景技術
量子點(quantum dot)是一種納米級別的半導體,通過對這種納米半導體材料施加特定的光壓,它們便會發出特定頻率的光。隨著量子點合成技術的進步,基于量子點的發光器件的發光效率可以高達100%。而且通過改變量子點尺寸或摻入其它元素,便可以將量子點發光波長在所有可見波段內進行調節。另外,量子點發光光譜的半峰寬較窄,一般小于30nm,也滿足了成為高性能顯示裝置的重要條件。由于量子點的諸多優良特性,使得量子點電致發光器件越來越受到人們的關注。而如何以量子點實現彩顯示對于對發光器件是十分重要的。
現有的量子點電致發光器件中設置有多個像素單元。每個像素單元包括有背光源、用于發紅光的紅量子點層、用于發綠光的綠量子點層以及用于發藍光的藍量子點層。將3種發光顏色的量子點層同層鋪設在背光源的出光路徑上,相當于用作濾光片。通過選擇控制各量子點層對應背光源的亮滅,使1個量子點層接收光照激發發光,而另外2個量子點無光照不發光,從而實現發光單元中不同顏色子像素的選擇發光,進而實現顯示裝置對不同顏色光的顯示。
但發明人發現,在使用上述量子點電致發光器件的過程中,往往會出現顯示裝置像素密度(Pixels Per Inch,簡稱:PPI)較低的問題。
發明內容
為了解決上述問題,本發明提供一種發光器件和顯示裝置,實現單個子像素對兩種顏色的選擇發光,提高了每個子像素的利用率,從而提高了發光器件和顯示裝置的像素密度。
根據本發明的第一方面,提供一種發光器件,包括陣列基板以及位于所述陣列基板上的多個子像素,所述子像素包括:
相對設置的第一電極和第二電極;
位于所述第一電極和所述第二電極之間的量子遷移層,所述量子遷移層包括同層設置的出光區和非出光區;
與所述出光區對應的背光源,所述背光源發出的光進入所述出光區;
其中,所述量子遷移層內設置有容置腔,所述容置腔內封裝有可在所述出光區和所述非出光區中遷移的透明帶電粒子和量子點。
可選地,在第一方面的一種可能實現方式中,所述量子點的發光顏色是紅色、綠色、藍色中任一種,且所述量子點的發光顏色與所述背光源的發光顏色不同。
可選地,在第一方面的另一種可能實現方式中,所述透明帶電粒子為表面修飾的金屬氧化物納米顆粒,所述表面修飾的金屬氧化物納米顆粒的粒徑大于等于10納米且小于等于100納米。
可選地,在第一方面的再一種可能實現方式中,所述表面修飾的金屬氧化物納米顆粒含有:
以通式Wy1Oz1表示的鎢氧化物,其中,所述y1和所述z1滿足2.2≤z1/y1≤2.999;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





