[發(fā)明專利]發(fā)光器件和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811475129.2 | 申請日: | 2018-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN111276510B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏明哲;郭恩卿 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 胡艾青;劉芳 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光器件,其特征在于,包括陣列基板以及位于所述陣列基板上的多個子像素,所述子像素包括:
相對設(shè)置的第一電極和第二電極;
位于所述第一電極和所述第二電極之間的量子遷移層,所述量子遷移層包括同層設(shè)置的出光區(qū)和非出光區(qū);
與所述出光區(qū)對應(yīng)的背光源,所述背光源發(fā)出的光進(jìn)入所述出光區(qū);
其中,所述量子遷移層內(nèi)設(shè)置有容置腔,所述容置腔內(nèi)封裝有可在所述出光區(qū)和所述非出光區(qū)中遷移的透明帶電粒子和量子點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述量子點(diǎn)的發(fā)光顏色是紅色、綠色、藍(lán)色中任一種,且所述量子點(diǎn)的發(fā)光顏色與所述背光源的發(fā)光顏色不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述透明帶電粒子為表面修飾的金屬氧化物納米顆粒,所述表面修飾的金屬氧化物納米顆粒的粒徑大于等于10納米且小于等于100納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述表面修飾的金屬氧化物納米顆粒含有:
以通式Wy1Oz1表示的鎢氧化物,其中,所述y1和所述z1滿足2.2≤z1/y1≤2.999;
和/或,以通式Mx2Wy2Oz2表示且具有六方晶系結(jié)晶結(jié)構(gòu)的復(fù)合鎢氧化物,其中,所述M為堿土金屬,所述堿土金屬為Be或Mg;
或者,所述M為H、He、堿金屬、稀土元素、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Hf、Os、Bi、I中的一種,其中,所述x2、所述y2和所述z2滿足0.001≤x2/y2≤1.1和2.2≤z2/y2≤2.999;
和/或,銦銻氧化物;
和/或,銦錫氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述表面修飾的金屬氧化物納米顆粒的表面包覆極性配體,所述極性配體包括NH4、SO3H、COOH、鹵素中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述子像素還包括:
位于所述第一電極和所述第二電極之間的第三透明電極,所述第三透明電極與所述第一電極和所述第二電極形成方向相反的兩個控制電場。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述第三透明電極位于所述量子遷移層表面,且至少部分所述第三透明電極覆蓋所述出光區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述子像素還包括:
位于所述量子遷移層表面并覆蓋所述非出光區(qū)的擋光層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述量子遷移層中添加有表面活性劑。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如權(quán)利要求1至9任一所述的發(fā)光器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





