[發(fā)明專利]檢測集成電路的襯底經(jīng)由其背面的可能減薄的方法、以及相關(guān)聯(lián)的器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811475025.1
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN109946584B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·薩拉菲亞諾斯;A·馬扎基
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;H01L23/544;H01L23/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張曦

半導(dǎo)體襯底包括掩埋半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體阱。一種用于檢測半導(dǎo)體襯底經(jīng)由其背面的可能減薄的器件被形成在半導(dǎo)體阱上和半導(dǎo)體阱中。該器件是包括輸入端子和輸出端子的非反相緩沖器，該器件在供應(yīng)端子與參考端子之間被供電，其中掩埋半導(dǎo)體層提供供應(yīng)端子。控制電路向輸入端子遞送處于第一狀態(tài)的輸入信號，并且如果響應(yīng)于輸入信號處于與第一狀態(tài)不同的第二狀態(tài)，信號在輸出端子處被生成，則輸出指示檢測到襯底的減薄的控制信號。

優(yōu)先權(quán)聲明

本申請要求2017年12月5日提交的法國專利申請No.1761625的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，該專利申請的內(nèi)容據(jù)此在法律允許的最大范圍內(nèi)以其整體通過引用被并入。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式和實(shí)施例的模式涉及集成電路，并且更特別地涉及檢測集成電路的襯底從其背面的可能減薄。

背景技術(shù)

集成電路，特別是被提供有包含敏感信息的存儲器的那些集成電路，必須盡可能地受保護(hù)而免于攻擊，特別是旨在揭露所存儲的數(shù)據(jù)的那些攻擊。

可能的攻擊可以使用激光束經(jīng)由集成電路的背面而被執(zhí)行。

當(dāng)集成電路的襯底被攻擊者從其背面減薄，諸如，以盡可能地接近集成電路的被制造在其正面的組件時(shí)，這種攻擊的有效性提高。集成電路的背面的減薄可以例如使用聚焦離子束(FIB)和/或使用拋光/磨損步驟而發(fā)生。

存在這樣的手段，其使得有可能檢測襯底經(jīng)由其背面的減薄。然而，這些手段有時(shí)具有低集成水平，并且有時(shí)可能擾亂位于附近的組件的操作。

這些已有的手段可以例如使用隨著襯底的減薄而變化的電阻。然而，這種類型的解決方案可能是錯(cuò)誤的來源，特別是對于具有可變溫度的集成電路，即使當(dāng)不存在減薄時(shí)其也改變電阻值。

此外，已有器件有可能在檢測之前被攻擊者修改，諸如以篡改其結(jié)果，例如通過強(qiáng)制輸出信號到指示檢測不存在的狀態(tài)。

因此，根據(jù)實(shí)施例，提出了一種方法和器件，其使得有可能可靠地檢測襯底經(jīng)由其背面的減薄，該器件具有減少的空間要求。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個(gè)方面，提出了一種包括半導(dǎo)體襯底的集成電路，被制造在掩埋半導(dǎo)體層之上并且包括被配置為接收供應(yīng)電壓的供應(yīng)端子和被配置為接收參考電壓的參考端子；以及用于檢測襯底經(jīng)由其背面的可能減薄的至少一個(gè)器件，該至少一個(gè)器件包括：非反相緩沖器，非反相緩沖器包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管是互補(bǔ)的并且串聯(lián)耦合在供應(yīng)端子與參考端子之間；包括兩個(gè)晶體管共同的電極的輸出端子和輸入端子；包括供應(yīng)端子的掩埋半導(dǎo)體層，該集成電路包括控制電路，控制電路被配置為生成處于第一狀態(tài)的輸入信號，在處于第一狀態(tài)的輸入信號存在并且在襯底的減薄不存在的情況下，非反相緩沖器適于變換到第一配置，在第一配置中，第一晶體管被配置為授權(quán)具有第一狀態(tài)的輸出信號在輸出端子上的遞送，并且在第一配置中，第二晶體管被關(guān)斷，并且控制電路此外被配置為如果輸出端子上的信號處于與第一狀態(tài)不同的狀態(tài)，則生成與襯底的減薄相對應(yīng)的控制信號。

在襯底減薄的情況下，包括供應(yīng)端子的半導(dǎo)體層被破壞并且非反相緩沖器不再由供應(yīng)電壓供電。

在其輸入端子上的高狀態(tài)的傳輸期間，它可能不再在其輸出端子上傳輸高狀態(tài)，因?yàn)樵摳郀顟B(tài)常規(guī)地與輸出端子到供應(yīng)端子的電耦合相對應(yīng)。

非反相緩沖器的使用，使得有可能具有包括簡單部件的檢測器件并且具有減少的空間要求。

根據(jù)實(shí)施例，控制電路可以被配置為遞送處于第二狀態(tài)的輸入信號，在處于其第二狀態(tài)的輸入信號存在的情況下，非反相緩沖器然后適于變換到器件的第二配置，在該配置中，第一晶體管授權(quán)具有第二狀態(tài)的信號在輸出端子上的遞送，以及如果由輸出端子遞送的信號處于第一狀態(tài)，則用于生成第二控制信號。

因此，該器件可以被配置為通過非反相緩沖器來驗(yàn)證低狀態(tài)的正確傳輸。