[發明專利]一種晶元加工方法在審
| 申請號： | 201811471510.1 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN109333173A | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發明（設計）人： | 孫井君 | 申請（專利權）人： | 徐州鑫盛智能科技發展有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B37/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221000 江蘇省徐州市徐州經濟技術開*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶元 研磨 兩端面 拋光機 上磨盤 下磨盤 行星輪 拋光 種晶 加工 夾具 磨料 夾具平面 夾具中心 生產效率 一次加工 質量穩定 石蠟 拋光液 打孔 平齊 工作量 垂直 并用 節約 安置 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶元加工方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在拋光機的主軸上方和下方分別設置上磨盤和下磨盤，并圍繞拋光機的主軸設置多個行星輪，并在行星輪的夾具中心垂直打孔，使孔的內徑大于晶元0.02mm，夾具厚度小于晶元厚度5mm；
(2)將多個晶元分別安置于孔中，并用石蠟把晶元封在孔中；
(3)進行第一次研磨：在研磨機上把晶元露出的兩端面端磨到與夾具平面平齊，研磨時間10-20min，研磨后晶元表面和夾具表面不平度小于0.02mm；
(4)繼續進行二次研磨，將第一次研磨后的晶元兩端面用磨料研磨，研磨時間5-10min，留下0.02mm拋光余量；
(5)拋光：用拋光液進行拋光8-10min，清洗、檢查合格后下盤。
2.根據權利要求1所述的晶元加工方法，其特征在于，所述步驟(3)中第一次研磨采用的磨料為綠碳化硅。
3.根據權利要求1所述的晶元加工方法，其特征在于，所述步驟(4)中第二次研磨采用的磨料為W10碳化硼。
4.根據權利要求1所述的晶元加工方法，其特征在于，所述步驟(4)的研磨時間為10min。
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