[發(fā)明專利]用于處理半導(dǎo)體裸片及制作經(jīng)重構(gòu)晶片的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811471279.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN110021558B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·M·貝利斯;J·M·戴德里安;李曉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)案涉及用于處理半導(dǎo)體裸片及制作經(jīng)重構(gòu)晶片的方法。用于處理半導(dǎo)體裸片的方法包括：從半導(dǎo)體晶片的表面移除材料以形成在所述半導(dǎo)體晶片的橫向外圍處由側(cè)壁環(huán)繞的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相間隔開的位置中將半導(dǎo)體裸片固定到所述膜。將電介質(zhì)模制材料放置在所述凹穴中在所述半導(dǎo)體裸片上方及之間，從所述半導(dǎo)體晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半導(dǎo)體裸片的接合墊，形成與相關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體裸片的所述接合墊電連通的重布層，及沿著所述半導(dǎo)體裸片之間的空間將所述重布層及相關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體裸片單個(gè)化。

優(yōu)先權(quán)主張

本申請(qǐng)案主張于2017年12月21日提出申請(qǐng)的題為“用于處理半導(dǎo)體裸片及制作并入有半導(dǎo)體裸片的組合件的方法(METHODS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR DICE ANDFABRICATING ASSEMBLIES INCORPORATING SAME)”的第15/851,304號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案的申請(qǐng)日期的權(quán)益。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中所揭示的實(shí)施例涉及對(duì)經(jīng)單個(gè)化半導(dǎo)體裸片的處理。更明確地說，本文中所揭示的實(shí)施例涉及在晶片規(guī)模上對(duì)經(jīng)單個(gè)化半導(dǎo)體裸片的處理且涉及制作經(jīng)重構(gòu)晶片及扇出型封裝半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)

所謂的扇出型封裝(FOP)配置中的半導(dǎo)體裸片正變?yōu)槭軞g迎的封裝選項(xiàng)，特別是對(duì)于在例如智能電話及平板計(jì)算機(jī)等移動(dòng)裝置以及汽車應(yīng)用中的使用，這是因?yàn)樗鼋M合件實(shí)現(xiàn)了超薄高密度封裝。所述技術(shù)消除了常規(guī)中介層的使用，且在芯片規(guī)模封裝中所使用的半導(dǎo)體裸片經(jīng)歷一或多次收縮而導(dǎo)致缺少用于相關(guān)聯(lián)球柵陣列(BGA)的空間時(shí)特別適用。在FOP技術(shù)中，采用包括至少一個(gè)導(dǎo)電跡線層級(jí)的重布層(RDL)來提供外部連接點(diǎn)，例如BGA，小則具有半導(dǎo)體裸片上的接合墊的細(xì)小間距，大則具有更大占用面積且在外部連接點(diǎn)之間具有大得多的間距。

常規(guī)地，F(xiàn)OP制作依據(jù)裸片優(yōu)先晶片級(jí)方法或裸片最后晶片級(jí)方法而實(shí)施。在裸片優(yōu)先方法中，在囊封于載體襯底上的先前經(jīng)單個(gè)化半導(dǎo)體裸片的陣列上制作重布層陣列，并將所囊封裸片及每一相關(guān)聯(lián)重布層(RDL)從陣列單個(gè)化。在裸片最后方法中，在載體襯底上制作RDL陣列，將半導(dǎo)體裸片連接到RDL，將裸片囊封，并接著將每一半導(dǎo)體裸片及相關(guān)聯(lián)RDL從陣列單個(gè)化。在一些例子中，將多個(gè)半導(dǎo)體裸片連接到相同RDL，但制作工藝是相同的。

對(duì)于常規(guī)裸片優(yōu)先工藝，裸片移位是一個(gè)挑戰(zhàn)，在RDL制作之后，非均勻邊緣及處理也是一個(gè)挑戰(zhàn)。與常規(guī)晶片相比，如此形成的半導(dǎo)體裸片與RDL陣列尺寸過小，因而呈現(xiàn)處置問題且需要修改用于晶片處置的工具。常規(guī)裸片優(yōu)先制作技術(shù)涉及將半導(dǎo)體裸片陣列的作用表面向下放置在上面具有粘合劑的載體襯底上。半導(dǎo)體裸片由電介質(zhì)模制材料囊封，此后將載體襯底及粘合劑從表征為經(jīng)重構(gòu)晶片的所模制半導(dǎo)體裸片陣列移除，且移除殘余粘合劑。接著將經(jīng)重構(gòu)晶片倒置，并在半導(dǎo)體裸片的作用表面上方形成RDL，附接或形成焊球或其它外部連接，且接著將經(jīng)重構(gòu)晶片單個(gè)化。

上文所描述裸片優(yōu)先方法需要昂貴的粘合劑及用以移除粘合劑的溶劑，經(jīng)重構(gòu)晶片的翹曲可因在固化期間模制材料的收縮而發(fā)生，且經(jīng)重構(gòu)晶片因與處置裝備設(shè)計(jì)用于的標(biāo)準(zhǔn)晶片相比尺寸過小而呈現(xiàn)處置問題。

發(fā)明內(nèi)容

一種用于處理半導(dǎo)體裸片的方法，所述方法包括：從半導(dǎo)體晶片的表面移除材料以形成由側(cè)壁環(huán)繞的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相間隔開的位置中將所述半導(dǎo)體裸片固定到所述膜。將電介質(zhì)模制材料放置在所述凹穴中在所述半導(dǎo)體裸片上方及之間，從所述半導(dǎo)體晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半導(dǎo)體裸片的接合墊，形成與相關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體裸片的所述接合墊電連通的重布層，及沿著所述半導(dǎo)體裸片之間的空間將所述重布層及相關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體裸片單個(gè)化。