[發明專利]用于處理半導體裸片及制作經重構晶片的方法

有效

• 申請號: 201811471279.6
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN110021558B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: A·M·貝利斯;J·M·戴德里安;李曉
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于處理半導體裸片的方法，所述方法包括：

從半導體晶片的表面移除材料以形成由側壁環繞的單個凹穴；

在所述單個凹穴的底部上形成膜；

在所述單個凹穴內由深蝕道分開的互相間隔開的位置中將包括半導體裸片的行及列的半導體裸片陣列固定到所述膜；

將電介質模制材料放置在所述單個凹穴中在所述半導體裸片上方、周圍以及所述半導體裸片中的每一者之間并環繞所述半導體裸片中的每一者的所述深蝕道之中以將每一半導體裸片的背部以及所有側面與所述電介質模制材料接觸；

從所述半導體晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜；

暴露所述半導體裸片的接合墊；

在經暴露的接合墊上形成一組互連的重布層，每一重布層與相關聯半導體裸片的所述接合墊電連通；及

沿著所述半導體裸片之間的所述深蝕道且穿過所述電介質模制材料將所述重布層及相關聯半導體裸片單個化。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：在將所述重布層及相關聯半導體裸片單個化之前，從所述半導體裸片的背部上方移除電介質模制材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在所述凹穴的底部上形成膜包括：在所述凹穴的所述底部上形成金屬材料膜。

4.根據權利要求3所述的方法，其中形成金屬材料膜包括：形成銅、鎳、金或錫中的至少一者的膜。

5.根據權利要求3所述的方法，其中將所述半導體裸片固定到所述膜包括：通過擴散接合或通過所述金屬材料膜的回焊將所述半導體裸片固定到所述金屬材料膜。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在所述凹穴的底部上形成膜包括：形成電介質膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其中形成電介質膜包括：形成聚酰亞胺、BCB、基于苯基的材料或基于環氧樹脂的材料的膜。

8.根據權利要求6所述的方法，其中將所述半導體裸片固定到所述膜包括：將所述半導體裸片固定到經部分固化電介質膜。

9.根據權利要求1所述的方法，其中：

從半導體晶片的所述表面移除材料包括：研磨所述材料；且

從所述半導體晶片的所述另一表面移除材料包括：蝕刻所述材料。

10.根據權利要求1所述的方法，其中沿著所述半導體裸片之間的空間將所述重布層及相關聯半導體裸片單個化包括：形成扇出型封裝。

11.一種用于處理半導體裸片的方法，所述方法包括：

通過以下方式在半導體晶片中形成單個凹穴：從所述半導體晶片的一個主要表面朝向相對主要表面研磨硅并留下環繞所述凹穴的硅側壁；

在所述凹穴的底部上沉積包括電介質材料及金屬材料中的一者的膜；

以陣列形式通過作用表面將半導體裸片接合到所述膜，所述陣列包括通過深蝕道互相分開的半導體裸片的行及列；

用延伸到所述深蝕道中的電介質模制材料填充所述單個凹穴以囊封所述半導體裸片的所有側面及背部；

通過從所述半導體晶片的所述相對主要表面蝕刻硅而暴露所述膜；圖案化所述膜以暴露所述半導體裸片的接合墊；

在每一半導體裸片上基本上同時形成與相關聯半導體裸片的所述接合墊電連通的重布層以形成經重構半導體晶片；及

穿過所述電介質模制材料沿著所述半導體裸片之間的深蝕道將每一重布層及至少一個相關聯半導體裸片單個化。

12.根據權利要求11所述的方法，其中沉積膜包括：沉積聚酰亞胺、BCB、基于苯基的材料或基于環氧樹脂的材料的電介質膜。

13.根據權利要求12所述的方法，其中將半導體裸片接合到所述膜包括：接合到經部分固化膜材料。