[發明專利]IBC電池的制作方法

在審

• 申請號: 201811469286.2
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109545901A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 吳翔;郭永剛;屈小勇;馬繼奎;席珍珍
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 郭桂峰

本發明提供了一種背結IBC電池的制作方法，包括：在基體的背面生長隧穿氧化層；形成第一摻雜層與第二摻雜層；所述第一摻雜層設于所述隧穿氧化層的與所述基體相背的一側，所述第二摻雜層形成于所述基體的背面，且對位于貫穿所述隧穿氧化層的通槽；所述第一摻雜層上形成有第一背面鈍化層，所述第二摻雜層上形成有第二背面鈍化層；形成與所述第一摻雜層歐姆連接的第一金屬電極，形成與所述第二摻雜層歐姆連接的第二金屬電極。利用本發明所制作的IBC電池可具有更高的開路電壓，進而可有利于實現較高的轉換效率。

技術領域

本發明涉及太陽能領域，尤其涉及一種IBC電池的制作方法。

背景技術

近年來,環境污染已經嚴重威脅到了社會與經濟的發展和每個人的生存。在全球性化石能源日益耗盡、環境污染不斷加重的今天,太陽能將與其他新型能源一起成為石油、煤、天然氣等不可再生能源的理想補充和替代能源。隨著光伏產業的迅猛發展,太陽能電池轉換效率不斷提高,成本不斷降低,使得光伏發電的前景更為光明和寬闊。

IBC電池，其中的IBC具體為Interdigitated back contact，可理解為一種背結電池，較常規太陽電池，IBC電池的工藝流程要相對復雜。IBC電池中，電池開路電壓的高低取決于鈍化效果的好壞，目前一般的IBC電池都是采用氮化硅和二氧化硅等薄膜進行表面鈍化。這種鈍化結構可以減小表面復合速率，對開路電壓的提升有一定幫助。但是，難以獲得更高的開路電壓，限制了電池轉換效率的提升。

發明內容

本發明提供一種IBC電池的制作方法，以解決采用氮化硅和二氧化硅等薄膜進行表面鈍化難以獲得更高的開路電壓，限制了電池轉換效率的提升的問題。

根據本發明的第一方面，提供了一種背結IBC電池的制作方法，包括：

在基體的背面生長隧穿氧化層；

形成第一摻雜層與第二摻雜層；所述第一摻雜層設于所述隧穿氧化層的與所述基體相背的一側，所述第二摻雜層形成于所述基體的背面，且對位于貫穿所述隧穿氧化層的通槽；所述第一摻雜層上形成有第一背面鈍化層，所述第二摻雜層上形成有第二背面鈍化層；

形成與所述第一摻雜層歐姆連接的第一金屬電極，形成與所述第二摻雜層歐姆連接的第二金屬電極。

可選的，所述第一背面鈍化層與所述第二背面鈍化層分別包括至少一層氮化硅，或者包括層疊的至少一層氮化硅與至少一層二氧化硅。

可選的，所述隧穿氧化層為通過氧化爐生長的熱氧化層，或者：所述隧穿氧化層為通過硝酸氧化生長的濕法氧化層。

可選的，若所述第一摻雜層為p型摻雜層，所述第二摻雜層為n型摻雜層；則所述形成第一摻雜層與第二摻雜層，包括：

在所述隧穿氧化層上形成第一摻雜后材料層，所述第一摻雜后材料層為p型摻雜多晶硅層或p型摻雜非晶硅層；

對所述第一摻雜后材料層與所述隧穿氧化層進行激光開槽，產生所述通槽，并形成所述n型摻雜層，所述第一摻雜后材料層中未開槽的至少部分區域形成有所述p型摻雜層。

可選的，所述在所述隧穿氧化層上形成第一摻雜后材料層，包括：

在所述隧穿氧化層上生長第一摻雜前材料層，所述第一摻雜前材料層為本征多晶硅層或者本征非晶硅層；

對所述第一摻雜前材料層進行硼摻雜，形成所述第一摻雜后材料層。

可選的，所述的方法，還包括：

在所述基體的正面形成前表面場；

在所述前表面場形成第一正面鈍化層。

可選的，若所述第一摻雜層為n型摻雜層，所述第二摻雜層為p型摻雜層；則所述形成第一摻雜層與第二摻雜層，包括：