[發明專利]IBC電池的制作方法

在審

• 申請號: 201811469286.2
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109545901A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 吳翔;郭永剛;屈小勇;馬繼奎;席珍珍
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 郭桂峰

1.一種背結IBC電池的制作方法，其特征在于，包括：

在基體的背面生長隧穿氧化層；

形成第一摻雜層與第二摻雜層；所述第一摻雜層設于所述隧穿氧化層的與所述基體相背的一側，所述第二摻雜層形成于所述基體的背面，且對位于貫穿所述隧穿氧化層的通槽；所述第一摻雜層上形成有第一背面鈍化層，所述第二摻雜層上形成有第二背面鈍化層；

形成與所述第一摻雜層歐姆連接的第一金屬電極，形成與所述第二摻雜層歐姆連接的第二金屬電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一背面鈍化層與所述第二背面鈍化層分別包括至少一層氮化硅，或者包括層疊的至少一層氮化硅與至少一層二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化層為通過氧化爐生長的熱氧化層，或者：所述隧穿氧化層為通過硝酸氧化生長的濕法氧化層。

4.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，若所述第一摻雜層為p型摻雜層，所述第二摻雜層為n型摻雜層；則所述形成第一摻雜層與第二摻雜層，包括：

在所述隧穿氧化層上形成第一摻雜后材料層，所述第一摻雜后材料層為p型摻雜多晶硅層或p型摻雜非晶硅層；

對所述第一摻雜后材料層與所述隧穿氧化層進行激光開槽，產生所述通槽，并形成所述n型摻雜層，所述第一摻雜后材料層中未開槽的至少部分區域形成有所述p型摻雜層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化層上形成第一摻雜后材料層，包括：

在所述隧穿氧化層上生長第一摻雜前材料層，所述第一摻雜前材料層為本征多晶硅層或者本征非晶硅層；

對所述第一摻雜前材料層進行硼摻雜，形成所述第一摻雜后材料層。

6.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述基體的正面形成前表面場；

在所述前表面場形成第一正面鈍化層。

7.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，若所述第一摻雜層為n型摻雜層，所述第二摻雜層為p型摻雜層；則所述形成第一摻雜層與第二摻雜層，包括：

在所述隧穿氧化層上形成第二摻雜后材料層，所述第二摻雜后材料層為n型摻雜多晶硅層或n型摻雜非晶硅層；

對所述第二摻雜后材料層與所述隧穿氧化層進行激光開槽，產生所述通槽，并形成所述p型摻雜層，所述第一摻雜后材料層中未開槽的至少部分區域形成有所述n型摻雜層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化層上形成第二摻雜后材料層，包括：

在所述隧穿氧化層上生長第二摻雜前材料層，所述第一摻雜前材料層為本征多晶硅層或者本征非晶硅層；

對所述第一摻雜前材料層進行磷摻雜，形成所述第二摻雜后材料層。

9.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述基體的正面形成表面浮動結；

在所述表面浮動結形成第二正面鈍化層。

10.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度的取值范圍為0.5-2納米。