[發(fā)明專利]一種太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811468315.3 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109378364B | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 皇韶峰 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇中宇光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 221699 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 生產(chǎn) 硅片 刻蝕 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝,在刻蝕之前使用去離子水對(duì)硅片的各個(gè)表面進(jìn)行沖洗,并對(duì)硅片進(jìn)行表面干燥,硅片表面干燥方式為烘干或者甩干,刻蝕時(shí)將硅片的正面朝下放置與腐蝕溶液接觸,腐蝕溶液為氫氟酸,并從硅片的上方向其背面噴射性質(zhì)穩(wěn)定的氣體,噴射氣體為氮?dú)猓诳涛g去邊結(jié)束之后,采用拋光液對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光。該太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝,向硅片背面噴射氮?dú)猓軌驅(qū)杵趁嫜趸瘜悠鸨Wo(hù)作用,在刻蝕結(jié)束后增加的拋光步驟,可以使硅片更加光滑,提高電池的轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于硅片刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝。
背景技術(shù)
目前,由于工藝設(shè)計(jì)要求,需制備背面有氧化層保護(hù)的硅片。而在制備背面附著氧化層的硅片時(shí),硅片的正面和背面均生長了氧化層,就需要通過濕法刻蝕處理去除掉正面的氧化層,同時(shí)保留背面氧化層,來實(shí)現(xiàn)工藝設(shè)計(jì)對(duì)硅片的要求。
在去除硅片正面的氧化層的過程中,由于腐蝕溶液揮發(fā)的氣體到達(dá)硅片背面的邊緣腐蝕該邊緣的氧化層,導(dǎo)致背面邊緣的氧化層也受到了一定程度的腐蝕,不符合產(chǎn)品的工藝要求,硅片背面也常為粗糙的不平面,這對(duì)于需要良好的背反射,對(duì)太陽光中的長波段光譜的吸收和后續(xù)鋁硅合金與硅體的結(jié)合不利。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝,以彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為解決上述問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種太陽能電池片生產(chǎn)中硅片的刻蝕去邊工藝,包括以下步驟:
S1、使用氫氟酸和硝酸的混合溶液對(duì)硅片的各個(gè)表面進(jìn)行潤洗;
S2、使用去離子水對(duì)步驟S1得到的硅片各個(gè)表面進(jìn)行沖洗;
S3、將步驟S2得到的硅片進(jìn)行表面干燥,硅片表面干燥方式為烘干或者甩干;
S4、使用氫氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液對(duì)步驟S3得到的硅片的側(cè)面和背面進(jìn)行刻蝕;
S5、使用去離子水對(duì)步驟S4得到的硅片的各個(gè)表面進(jìn)行沖洗,并對(duì)硅片進(jìn)行表面干燥,硅片表面干燥方式為烘干或者甩干;
S6、將硅片的正面朝下放置與腐蝕溶液接觸,并從硅片的上方向其背面噴射性質(zhì)穩(wěn)定的氣體,經(jīng)過一定反應(yīng)時(shí)間,取出硅片用水沖洗干凈;
S7、在刻蝕去邊結(jié)束之后,采用拋光液對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光。
優(yōu)選的,步驟S1中,氫氟酸和硝酸的混合溶液中氫氟酸與硝酸的質(zhì)量濃度百分比為5:1-10:1。
優(yōu)選的,步驟S1中在獨(dú)立的槽式設(shè)備中對(duì)擴(kuò)散截止后得到的硅片的各個(gè)表面進(jìn)行潤洗,潤洗的時(shí)間小于10s,槽式設(shè)備中具有多個(gè)滾輪,擴(kuò)散截止后得到的硅片以漂浮的方式通過槽式設(shè)備。
優(yōu)選的,步驟S2中在鏈?zhǔn)皆O(shè)備或槽式設(shè)備中對(duì)硅片的各個(gè)表面進(jìn)行沖洗,沖洗方式為噴淋或潤洗。
優(yōu)選的,步驟S6中腐蝕溶液為氫氟酸,噴射氣體為氮?dú)猓磻?yīng)時(shí)間為2-3min。
優(yōu)選的,步驟S7中拋光液按質(zhì)量百分比計(jì)其組分包括:HF0.5%-10%、HNO35%-55%、H2SO45%-55%、醋酸5%-30%。
優(yōu)選的,步驟S7中拋光液中還含有添加劑,添加劑包括氟化銨、亞硝酸鉀、檸檬酸鉀和十二醇硫酸酯鉀中的一種或幾種,其含量占拋光液總質(zhì)量的5-15%。
優(yōu)選的,步驟S7中拋光時(shí)拋光液的溫度為5-25℃,拋光時(shí)間為4min-10min。
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