[發明專利]一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝有效
| 申請號: | 201811468315.3 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN109378364B | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發明(設計)人: | 皇韶峰 | 申請(專利權)人: | 江蘇中宇光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 221699 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 生產 硅片 刻蝕 工藝 | ||
1.一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:包括以下步驟:
S1、使用氫氟酸和硝酸的混合溶液對硅片的各個表面進行潤洗;
S2、使用去離子水對步驟S1得到的硅片各個表面進行沖洗;
S3、將步驟S2得到的硅片進行表面干燥,硅片表面干燥方式為烘干或者甩干;
S4、使用氫氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液對步驟S3得到的硅片的側面和背面進行刻蝕;
S5、使用去離子水對步驟S4得到的硅片的各個表面進行沖洗,并對硅片進行表面干燥,硅片表面干燥方式為烘干或者甩干;
S6、將硅片的正面朝下放置與腐蝕溶液接觸,并從硅片的上方向其背面噴射性質穩定的氣體,經過一定反應時間,取出硅片用水沖洗干凈;
S7、在刻蝕去邊結束之后,采用拋光液對硅片背面進行拋光。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S1中,氫氟酸和硝酸的混合溶液中氫氟酸與硝酸的質量濃度百分比為5:1-10:1。
3.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S1中在獨立的槽式設備中對擴散截止后得到的硅片的各個表面進行潤洗,潤洗的時間小于10s,槽式設備中具有多個滾輪,擴散截止后得到的硅片以漂浮的方式通過槽式設備。
4.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S2中在鏈式設備或槽式設備中對硅片的各個表面進行沖洗,沖洗方式為噴淋或潤洗。
5.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S6中腐蝕溶液為氫氟酸,噴射氣體為氮氣,反應時間為2-3min。
6.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S7中拋光液按質量百分比計其組分包括:HF0.5%-10%、HNO35%-55%、H2SO45%-55%、醋酸5%-30%。
7.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S7中拋光液中還含有添加劑,添加劑包括氟化銨、亞硝酸鉀、檸檬酸鉀和十二醇硫酸酯鉀中的一種或幾種,其含量占拋光液總質量的5-15%。
8.根據權利要求1所述的一種太陽能電池片生產中硅片的刻蝕去邊工藝,其特征在于:步驟S7中拋光時拋光液的溫度為5-25℃,拋光時間為4min-10min。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





