[發明專利]主動開關及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811466312.6
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN109545689B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 莫瓊花;卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/08
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李文淵

本申請涉及一種主動開關及其制作方法、顯示裝置，該主動開關的制作方法包括：在基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層、半導體復合層及源漏極；半導體復合層包括依次層疊的第一N型重摻雜非晶硅層、第一N型輕摻雜非晶硅層、第二N型重摻雜非晶硅層及第二N型輕摻雜非晶硅層，其中，第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度比第二N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度低，第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度比第二N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度高；對有源層、半導體復合層進行處理得到一溝道區；最后將溝道區置于預設的氣體氛圍中進行加熱處理。本申請可有效降低漏電流，提高主動開關的可靠性。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種主動開關及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

GOA(Gate Driven on Array，陣列基板上柵驅動集成)技術，能實現顯示面板的逐行掃描驅動功能，利用GOA技術將柵極驅動電路集成在顯示面板的陣列基板上，從而可以省掉柵極驅動集成電路部分，以從材料成本和制作工藝兩方面降低產品成本。

而用于控制逐行掃描開關的開關元件，例如TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)由于自身存在漏電電流的特性，常常會導致GOA電路出現多種不良。例如：在內嵌式觸控顯示器中，將一幀時間分為觸控階段和顯示階段，并采用分時驅動的方式進行驅動，在進行觸控驅動時，由于TFT漏電電流的存在，暫停輸出柵極驅動信號的那一級GOA單元的高電位會逐漸變低，且在重新進入顯示階段時，該級GOA單元的輸出電壓也會低于正常的柵極驅動信號的電壓，因此會在顯示屏上出現一條由于顯示亮度較暗形成的暗線，并且該問題在每次由觸控階段切換到顯示階段時都會出現，最終用戶會在顯示屏上看到多條暗線。

相比集成電路驅動，采用GOA驅動也有一定的品質能和可靠性風險，主要是由于摻氫非晶硅半導體閾值電壓偏移特性等引起，如何減少TFT器件閾值電壓偏移，進而提高顯示器的顯示效果同樣也是本領域技術人員亟待解決的問題

發明內容

基于此，有必要針對如何降低TFT漏電電流、閾值電壓偏移對GOA單元輸出造成影響的問題，提供一種主動開關及其制作方法、顯示裝置。

一種主動開關的制作方法，所述方法包括：

提供一基板，并在所述基板上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極；

在所述基板上沉積柵極絕緣層；其中，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

在所述柵極絕緣層上依次沉積有源層、半導體復合層；所述半導體復合層包括依次層疊的第一N型重摻雜非晶硅層、第一N型輕摻雜非晶硅層、第二N型重摻雜非晶硅層及第二N型輕摻雜非晶硅層，其中，第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度低于第二N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度，第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度高于第二N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度；

對所述有源層、半導體復合層進行光刻處理；

在所述半導體復合層上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行光刻、濕法刻蝕處理，得到一位于所述第二金屬層中部、并貫穿所述第二金屬層的第一凹槽，所述第二金屬層被所述第一凹槽間隔成源極、漏極；

以所述源極、漏極為刻蝕阻擋層，對所述有源層、半導體復合層進行干法刻蝕處理，得到與所述第一凹槽對應的第二凹槽，所述第二凹槽貫穿所述半導體復合層、并部分貫穿至所述有源層，所述第一凹槽與所述第二凹槽形成溝道區；

將所述溝道區置于預設的氣體氛圍中進行加熱處理。

在其中一個實施例中，所述將所述溝道區置于預設的氣體氛圍中進行加熱處理的步驟，包括：

先對所述溝道區加熱0s-50s，最后置于氨氣的氣氛中加熱0s-20s。