[發(fā)明專利]主動開關(guān)及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811466312.6
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN109545689B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莫瓊花;卓恩宗
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/08
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李文淵

1.一種主動開關(guān)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，并在所述基板上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極；

在所述基板上沉積柵極絕緣層；其中，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極，所述柵極絕緣層包括依次疊設(shè)的第一子?xùn)艠O絕緣層、第二子?xùn)艠O絕緣層及第三子?xùn)艠O絕緣層，采用第一速率沉積所述第一子?xùn)艠O絕緣層，采用第二速率沉積所述第二子?xùn)艠O絕緣層，采用第三速率沉積所述第三子?xùn)艠O絕緣層，所述第一速率、第二速率及第三速率的數(shù)值依次遞減；

在所述柵極絕緣層上依次沉積有源層、半導(dǎo)體復(fù)合層；所述半導(dǎo)體復(fù)合層包括依次層疊的第一N型重摻雜非晶硅層、第一N型輕摻雜非晶硅層、第二N型重摻雜非晶硅層及第二N型輕摻雜非晶硅層，其中，第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度低于第二N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度，第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度高于第二N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度；

對所述有源層、半導(dǎo)體復(fù)合層進行光刻處理；

在所述半導(dǎo)體復(fù)合層上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行光刻、濕法刻蝕處理，得到一位于所述第二金屬層中部、并貫穿所述第二金屬層的第一凹槽，所述第二金屬層被所述第一凹槽間隔成源極、漏極；

以所述源極、漏極為刻蝕阻擋層，對所述有源層、半導(dǎo)體復(fù)合層進行干法刻蝕處理，得到與所述第一凹槽對應(yīng)的第二凹槽，所述第二凹槽貫穿所述半導(dǎo)體復(fù)合層、并部分貫穿至所述有源層，所述第一凹槽與所述第二凹槽形成溝道區(qū)；

將所述溝道區(qū)置于預(yù)設(shè)的氣體氛圍中進行加熱處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動開關(guān)的制作方法，其特征在于，所述將所述溝道區(qū)置于預(yù)設(shè)的氣體氛圍中進行加熱處理的步驟，包括：

先對所述溝道區(qū)加熱0s-50s，最后置于氨氣的氣氛中加熱0s-20s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動開關(guān)的制作方法，其特征在于，沉積所述第一N型重摻雜非晶硅層、第一N型輕摻雜非晶硅層、第二N型重摻雜非晶硅層及第二N型輕摻雜非晶硅層時，采用PH₃和SiH₄氣體進行沉積。

4.一種主動開關(guān)，其特征在于，使用如權(quán)利要求1-3任一項所述的主動開關(guān)制作方法進行制造，所述主動開關(guān)包括：

基板；

柵極，形成于所述基板上；

柵極絕緣層，形成所述基板上；其中，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極，所述柵極絕緣層包括依次疊設(shè)的第一子?xùn)艠O絕緣層、第二子?xùn)艠O絕緣層及第三子?xùn)艠O絕緣層，采用第一速率沉積所述第一子?xùn)艠O絕緣層，采用第二速率沉積所述第二子?xùn)艠O絕緣層，采用第三速率沉積所述第三子?xùn)艠O絕緣層，所述第一速率、第二速率及第三速率的數(shù)值依次遞減；

有源層，形成于所述柵極絕緣層上；

半導(dǎo)體復(fù)合層，形成于所述有源層上；及

形成于所述半導(dǎo)體復(fù)合層上的源極與漏極；

其中，所述半導(dǎo)體復(fù)合層包括依次層疊的第一N型重摻雜非晶硅層、第一N型輕摻雜非晶硅層、第二N型重摻雜非晶硅層及第二N型輕摻雜非晶硅層，其中，第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度低于第二N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度，第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度高于第二N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度；一溝道區(qū)位于所述半導(dǎo)體復(fù)合層的中部，所述溝道區(qū)貫穿所述半導(dǎo)體復(fù)合層、并部分貫穿至所述有源層，所述源極與漏極位于所述溝道區(qū)的兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的主動開關(guān)，其特征在于，所述半導(dǎo)體復(fù)合層的厚度為300埃-600埃；其中，所述第一N型輕摻雜非晶硅層的厚度為80埃-200埃，所述第二N型輕摻雜非晶硅層的厚度為80埃-200埃，所述第一N型重摻雜非晶硅層的厚度為80埃-200埃，所述第二N型重摻雜非晶硅層的厚度為80埃-200埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的主動開關(guān)，其特征在于，所述第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度為所述第二N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度的1.5倍-3倍；所述第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度為所述第一N型輕摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度的2倍-6倍；所述第二N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度為所述第一N型重摻雜非晶硅層的離子摻雜濃度的1.5倍-3倍。