[發明專利]排氣裝置、處理裝置以及排氣方法

有效

• 申請號: 201811464877.0
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN110010437B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 永關一也;茂山和基;松田俊也;古谷直一;大下辰郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/44
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種排氣裝置、處理裝置以及排氣方法。目的在于減少處理室的壓力的偏差。提供一種排氣裝置，該排氣裝置具有：排氣機構，其具有第1葉片構件和第2葉片構件，該第1葉片構件和該第2葉片構件在處理容器的排氣空間中同軸地配置于比被處理體靠外周側的位置，且至少一者能夠旋轉，該處理容器在真空氣氛的處理空間中對被處理體實施處理；以及排氣部，其與所述排氣空間連通，在所述排氣機構的下游側進行所述處理容器內的排氣。

技術領域

本發明涉及排氣裝置、處理裝置以及排氣方法。

背景技術

在半導體制造中，對于在真空氣氛的處理室中對被處理體進行處理的處理裝置，為了將處理室控制成預定的壓力，設置有排氣裝置。對于所使用的排氣裝置，提出了各種類型(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-183037號公報

發明內容

發明要解決的問題

若處理室的壓力存在偏差，則被處理體的處理變得不均勻，因此，優選排氣裝置安裝于處理室的壓力不產生偏差的位置。例如，若將排氣裝置安裝于在處理裝置的側壁或底部的外周側設置的排氣口，則沿著橫向、外周方向進行排氣的抽吸。因此，排氣空間的壓力產生偏差，其結果，在處理室中也有時產生壓力的偏差。

然而，在處理裝置之下有時配置高頻電源、供電棒等、或設置被處理體的調溫用的冷卻氣體用的配管、制冷劑用的配管等。因此，需要配置這些設備的空間，有時難以在處理室的壓力難以產生偏差的處理裝置的中央下的位置配置排氣裝置。

針對上述問題，在一方面，本發明的目的在于減少處理室的壓力的偏差。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據一技術方案，提供一種排氣裝置，其具有：排氣機構，其具有第1葉片構件和第2葉片構件，該第1葉片構件和該第2葉片構件在處理容器的排氣空間中同軸地配置于比被處理體靠外周側的位置，且至少一者能夠旋轉，該處理容器在真空氣氛的處理空間中對被處理體實施處理；以及排氣部，其與所述排氣空間連通，在所述排氣機構的下游側進行所述處理容器內的排氣。

根據另一技術方案，提供一種處理裝置，該處理裝置具備排氣裝置，該排氣裝置具有：排氣機構，其具有第1葉片構件和第2葉片構件，該第1葉片構件和該第2葉片構件在處理容器的排氣空間中同軸地配置于比被處理體靠外周側的位置，且至少一者能夠旋轉，該處理容器在真空氣氛的處理空間中對被處理體實施處理；以及排氣部，其與所述排氣空間連通，在所述排氣機構的下游側進行所述處理容器內的排氣。

根據另一技術方案，提供一種排氣方法，處理容器在真空氣氛的處理空間中對被處理體實施處理，在該處理容器的排氣空間中，使同軸地配置到比被處理體靠外周側的位置的第1葉片構件和第2葉片構件中的至少一者進行旋轉，利用與所述排氣空間連通且配置到所述第1葉片構件和所述第2葉片構件的下游側的排氣部進行所述處理容器內的排氣，基于預定的條件，使進行旋轉的所述第1葉片構件和所述第2葉片構件中的至少一者的每單位時間的轉速變化。

根據另一技術方案，提供一種排氣方法，在具有將處理容器隔離成多個處理室的壁的處理容器的排氣空間中，所述處理容器在真空氣氛的處理空間中對被處理體實施處理，分別針對同軸地配置于載置到所述多個處理室內的多個被處理體各自的外周側的第1葉片構件和第2葉片構件的組，使該第1葉片構件和該第2葉片構件中的至少一者進行旋轉，對所述多個處理室的壓力進行測量，根據所測量的所述多個處理室的壓力對各處理室的所述第1葉片構件和所述第2葉片構件中的至少一者的旋轉分別獨立地進行控制。