[發(fā)明專利]LED芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811461246.3 | 申請日： | 2018-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN109585624A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陸遠(yuǎn)林 | 申請（專利權(quán)）人： | 儀征市峰皓設(shè)備安裝工程有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 211400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 透明導(dǎo)電層 納米金屬層 熒光粉 電流橫向擴(kuò)展 納米金屬顆粒 納米銀顆粒 接觸電阻 納米銀層 有效反射 發(fā)光層 納米銀 體電阻 透光率 氧氣氛 襯底 回射 制備 | ||
本發(fā)明公開了一種LED芯片，LED芯片從下向上依次包括：襯底；N型半導(dǎo)體層；發(fā)光層；P型半導(dǎo)體層；透明導(dǎo)電層；納米金屬層，所述納米金屬層包括若干納米金屬顆粒；P電極及N電極。本發(fā)明在氧氣氛中制備透明導(dǎo)電層，氧組分的增加可以減少透明導(dǎo)電層的缺陷，提高了透明導(dǎo)電層的透光率；同時(shí)，能夠有效增加透明導(dǎo)電層與P型半導(dǎo)體層的接觸電阻。納米銀層層能夠有效降低透明導(dǎo)電層的體電阻；同時(shí)，納米銀層與透明導(dǎo)電層相結(jié)合，能夠提高透明導(dǎo)電層的電流橫向擴(kuò)展能力，納米銀顆粒能夠有效反射熒光粉回射的光，從而提高LED芯片的亮度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode，LED)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出其他單色光的版本，時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛取６猛疽灿沙鯐r(shí)作為指示燈、顯示板等；隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，發(fā)光二極管已被廣泛的應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。
現(xiàn)有技術(shù)中，參圖1所示，以藍(lán)寶石襯底GaN外延結(jié)構(gòu)LED芯片為例，通常包括襯底10’、N型半導(dǎo)體層20’、發(fā)光層30’、P型半導(dǎo)體層40’、電流阻擋層50’、透明導(dǎo)電層60’、鈍化層70’、P電極81’和N電極82’等，其制備方法通常為：
1)通過MOCVD在藍(lán)寶石襯底上生長GaN外延；
2)芯片正常MESA制作；
3)電流阻擋層制作；
4)透明導(dǎo)電層制作；
5)制作SiO2鈍化層、金屬N電極和P電極。
上述LED芯片電流阻擋層能夠阻隔P電極下方P型半導(dǎo)體層和ITO透明導(dǎo)電層之間的電流，然而由于正常的ITO透明導(dǎo)電層中具有缺陷，且ITO透明導(dǎo)電層的體電阻較大，對透明導(dǎo)電層的橫向電流擴(kuò)展有一定的影響，使得 LED芯片的亮度受到影響。
因此，針對上述技術(shù)問題，有必要提供一種LED芯片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種LED芯片。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：
一種LED芯片，所述LED芯片從下向上依次包括：
襯底；
位于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層；
位于所述N型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層；
位于所述發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層；
位于所述P型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層；
位于所述透明導(dǎo)電層上的納米金屬層，所述納米金屬層包括若干納米金屬顆粒；
與所述P型半導(dǎo)體層電性導(dǎo)通的P電極、以及與所述N型半導(dǎo)體層電性導(dǎo)通的N電極。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述透明導(dǎo)電層為ITO、ZITO、ZIO、GIO、 ZTO、FTO、AZO、GZO中的一種或多種的組合。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述納米金屬層為納米銀層。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述納米金屬層的厚度為1～10nm。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述P型半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層之間對應(yīng)于P 電極下方區(qū)域設(shè)有電流阻擋層。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述透明導(dǎo)電層上方設(shè)有鈍化層。
本發(fā)明的有益效果是：
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