[發明專利]LED芯片在審
| 申請號： | 201811461246.3 | 申請日： | 2018-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN109585624A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 陸遠林 | 申請（專利權）人： | 儀征市峰皓設備安裝工程有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 211400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明導電層 納米金屬層 熒光粉 電流橫向擴展 納米金屬顆粒 納米銀顆粒 接觸電阻 納米銀層 有效反射 發光層 納米銀 體電阻 透光率 氧氣氛 襯底 回射 制備 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片從下向上依次包括：
襯底；
位于所述襯底上的N型半導體層；
位于所述N型半導體層上的發光層；
位于所述發光層上的P型半導體層；
位于所述P型半導體層上的透明導電層；
位于所述透明導電層上的納米金屬層，所述納米金屬層包括若干納米金屬顆粒；
與所述P型半導體層電性導通的P電極、以及與所述N型半導體層電性導通的N電極。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層為ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一種或多種的組合。
3.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述納米金屬層為納米銀層。
4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述納米金屬層的厚度為1～10nm。
5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層和透明導電層之間對應于P電極下方區域設有電流阻擋層。
6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層上方設有鈍化層。
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