[發(fā)明專利]電磁體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811459562.7
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109887705B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設計）人: A·唐;J·諾伊斯
• 申請（專利權）人: 西門子醫(yī)療有限公司
• 主分類號: H01F7/126
• 分類號: H01F7/126;A61B5/055
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本發(fā)明涉及一種電磁體組件(200)，該電磁體組件(200)包括：內磁體(210)；圍繞內磁體而被布置的外磁體(220)；在內磁體和外磁體之間延伸的環(huán)形區(qū)域(230)；以及多個支撐元件(240)，多個支撐元件(240)穿過環(huán)形區(qū)域延伸并且將環(huán)形區(qū)域劃分成多個環(huán)形段；其中支撐元件沿環(huán)形區(qū)域分布，以形成較小的環(huán)形段(232)和較大的環(huán)形段(234)。

技術領域

本公開涉及電磁體組件。

具體地，本公開與用于醫(yī)學成像設備的電磁體組件有關。

背景技術

磁共振成像(MRI)是特定的醫(yī)學成像技術，在磁共振成像中，主電磁體被用來生成強磁場。為了包含該場，已知采用有源屏蔽，其中附加的屏蔽電磁體被用來“屏蔽”所生成的磁場。主電磁體和屏蔽電磁體以特定的空間布置來配置，其中屏蔽磁體被布置為同軸地圍繞主磁體。

對于有源屏蔽，需要使用支撐結構來維持電磁體之間的該特定空間布置。為此目的，在某些常規(guī)MRI掃描儀中，使用多個支撐元件，而在另一些常規(guī)MRI掃描儀中，使用氦包含結構。在任一情況下，支撐結構都被布置為是軸對稱的，反映了所生成的電磁負載是軸對稱的事實。

除了電磁負載之外，電磁體還可能沿任何方向(特別是沿徑向方向)經受外部引起的負載。例如，負載可以在磁體組件的運輸期間而被引起。因此，要確保該支撐結構足夠牢固以承受這樣的沿任何徑向方向的負載。與通過電磁體之間的相互作用引起的電磁負載不同，這些負載可以引起磁體上的局部應力和應變，導致變形并且最終導致性能下降。

以上考慮導致了具有相當大的重量和成本的電磁體組件。因此，非常期望具有最優(yōu)支撐結構的電磁體組件，該最優(yōu)支撐結構被配置為在運輸中和在使用中提供充分支撐，而同時比相關技術的示例中提供的電磁體組件更輕并且使用更少的材料。

發(fā)明內容

根據本公開，提供了一種如所附權利要求闡述的電磁體組件和醫(yī)學成像設備。根據從屬權利要求和以下描述，本發(fā)明的其他特征將是明顯的。

因此，可以提供一種電磁體組件(200)，其包括：一個內磁體(210)；一個外磁體(220)，外磁體(220)被布置為圍繞內磁體(210)；一個環(huán)形區(qū)域(230)，環(huán)形區(qū)域(230)在內磁體(210)和外磁體(220)之間延伸；以及多個支撐元件(240)，多個支撐元件(240)延伸穿過環(huán)形區(qū)域(230)并且將環(huán)形區(qū)域(230)劃分成多個環(huán)形段(232、234)；其中多個支撐元件(240)沿環(huán)形區(qū)域(230)分布，以形成一個第一環(huán)形段(232)和一個第二環(huán)形段(234)，以及第一環(huán)形段(232)小于第二環(huán)形段(234)。

第二環(huán)形段(234)可以約為第一環(huán)形段(232)的整數倍。

每個環(huán)形段可以約為另一環(huán)形段的整數倍或整數因數。

外磁體(220)可以包括多個外支撐點(225)，并且內磁體(210)可以包括多個內支撐點(215)，其中多個支撐元件(240)中的每個支撐元件(240)在一個外支撐點(225)和一個內支撐點(215)之間延伸。

每一對相鄰內支撐點(215)可以跨越一段距離，第一對相鄰內支撐點(215)跨越的每段距離是第二對相鄰內支撐點(215)跨越的一段距離的整數倍或整數因數。

每一對相鄰外支撐點(225)可以跨越一段距離，其中第一對相鄰外支撐點(225)跨越的每段距離是第二對相鄰外支撐點(225)跨越的一段距離的整數倍或整數因數。

多個支撐元件(240)可以包括至少三個支撐元件(240)。

一個第一支撐元件(240)可以被定位在環(huán)形區(qū)域(230)的第一半；一個第二支撐元件(240)和一個第三支撐元件(240)可以被定位在環(huán)形區(qū)域(230)的第二半。

多個支撐元件(240)可以基本上共面。