[發(fā)明專利]電磁體組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811459562.7 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN109887705B | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·唐;J·諾伊斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 西門子醫(yī)療有限公司 |
| 主分類號： | H01F7/126 | 分類號： | H01F7/126;A61B5/055 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 英國薩里*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁體 組件 | ||
1.一種用于在超導(dǎo)條件下生成高磁場的電磁體組件(200)，包括：
一個內(nèi)磁體(210)；
一個外磁體(220)，所述外磁體(220)被布置為圍繞所述內(nèi)磁體(210)；
環(huán)形區(qū)域，所述環(huán)形區(qū)域在所述內(nèi)磁體(210)和所述外磁體(220)之間延伸；以及
多個支撐元件(240)，所述多個支撐元件(240)延伸穿過所述環(huán)形區(qū)域并且將所述環(huán)形區(qū)域劃分成多個環(huán)形段(232、234)；
其中所述多個支撐元件(240)沿所述環(huán)形區(qū)域周向分布，以形成一個第一環(huán)形段(232)和一個第二環(huán)形段(234)，以及
所述第一環(huán)形段(232)的周向長度小于所述第二環(huán)形段(234)的周向長度；
其中所述外磁體(220)包括：一個第一線圈(222)，以及一個第二線圈(224)，所述第二線圈(224)與所述第一線圈(222)被軸向地間隔開，
其中所述第一線圈(222)限定一個第一環(huán)形區(qū)域(230)；
所述第二線圈(224)限定一個第二環(huán)形區(qū)域(231)，所述第二環(huán)形區(qū)域(231)在所述內(nèi)磁體(210)和所述第二線圈(224)之間延伸；并且
所述多個支撐元件延伸穿過相應(yīng)的環(huán)形區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁體組件，其中
所述第二環(huán)形段(234)的周向長度為所述第一環(huán)形段(232)的周向長度的整數(shù)倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁體組件，其中
每個環(huán)形段的周向長度為另一環(huán)形段的周向長度的整數(shù)倍或整數(shù)因數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁體組件，
所述外磁體(220)包括多個外支撐點(225)，以及
所述內(nèi)磁體(210)包括多個內(nèi)支撐點(215)，
其中所述多個支撐元件(240)中的每個支撐元件(240)在一個外支撐點(225)和一個內(nèi)支撐點(215)之間延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁體組件，
其中每一對相鄰內(nèi)支撐點(215)跨越一段距離，
其中第一對相鄰內(nèi)支撐點(215)跨越的每段距離是第二對相鄰內(nèi)支撐點(215)跨越的一段距離的整數(shù)倍或整數(shù)因數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁體組件，
其中每一對相鄰?fù)庵吸c(225)跨越一段距離，
其中第一對相鄰?fù)庵吸c(225)跨越的每段距離是第二對相鄰?fù)庵吸c(225)跨越的一段距離的整數(shù)倍或整數(shù)因數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5、6中任一項所述的電磁體組件，其中所述多個支撐元件(240)包括至少三個支撐元件(240)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁體組件，其中
所述環(huán)形區(qū)域根據(jù)包括所述電磁體組件的設(shè)備的使用定向而分為第一半和第二半，
一個第一支撐元件(240)被定位在相應(yīng)環(huán)形區(qū)域的所述第一半；
一個第二支撐元件(240)和一個第三支撐元件(240)被定位在相應(yīng)環(huán)形區(qū)域的所述第二半。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5、6、8中任一項所述的電磁體組件，
其中延伸穿過相應(yīng)環(huán)形區(qū)域的所述多個支撐元件(240)相對于與所述電磁體組件的軸垂直的平面基本上共面。
10.一種醫(yī)學(xué)成像設(shè)備，所述醫(yī)學(xué)成像設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的電磁體組件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的醫(yī)學(xué)成像設(shè)備，其中所述電磁體組件被布置為：沿所述醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的垂直方向比沿所述醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的水平方向向所述外磁體(220)提供更大的支撐。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的醫(yī)學(xué)成像設(shè)備，其中所述電磁體組件在所述醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的第一側(cè)上比在所述醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的第二側(cè)上具有更大數(shù)目的支撐元件。
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