[發明專利]晶圓缺陷掃描方法有效
| 申請號: | 201811458489.1 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN109545700B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 韓俊偉 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 掃描 方法 | ||
本發明提供了一種晶圓缺陷掃描方法,首先,采集晶圓表面的若干裸片的光學圖像;然后,在掃描機臺中建立與所述裸片相對應的傅里葉濾波模塊,并利用所述傅里葉濾波模塊對所述裸片進行濾波;接著,將所有的濾波結果進行擬合分析并得出擬合曲線,并在所述光學圖像中,找到與所述擬合曲線中的衍射交叉點對應的噪聲點;最后,阻擋所述噪聲點并對若干裸片的光學圖像同時進行晶圓缺陷掃描。建立與所述裸片相對應的傅里葉濾波模塊,實現了針對性的濾波去噪,減少了掃描機臺的背景噪聲,提高了掃描機臺的工作效率。進一步的,所述傅里葉濾波模塊兼顧晶圓上的所有裸片,從而進行全面的一次性濾波去噪,提高了晶圓缺陷掃描的準確性和可靠性。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,特別涉及一種晶圓缺陷掃描方法。
背景技術
隨著半導體技術的進一步發展,晶圓缺陷掃描已經成為提升半導體良率一項不可或缺的手段,目前暗場掃描機臺由于掃描速度快、對晶圓表面缺陷極度敏感而受到晶圓缺陷掃描的青睞。
現階段,暗場掃描機臺利用圖像處理系統采集晶圓表面多個裸片的光學圖像,然后,對采集到的晶圓表面的各裸片的光學圖像進行晶圓缺陷掃描。目前暗場掃描機臺只能利用傅里葉濾波模塊針對晶圓表面相同裸片的重復單元進行濾波,晶圓表面若干裸片中包含了不同的裸片,不同裸片就需要分次進行傅里葉濾波,這樣的分次掃描會耗費大量的人力物力;當掃描機臺對晶圓表面的若干不同裸片的重復單元同時進行掃描時,會造成大量的圖像噪聲,這對晶圓缺陷掃描工作造成干擾,影響晶圓缺陷掃描的可靠性和準確性。
發明內容
本發明的目的在于提供一種晶圓缺陷掃描方法,以解決晶圓不同裸片同時進行缺陷掃描時有噪聲的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種晶圓缺陷掃描方法,包括以下步驟:
采集晶圓表面的若干裸片的光學圖像;
在掃描機臺中建立與所述裸片相對應的傅里葉濾波模塊;
利用所述傅里葉濾波模塊對所述裸片進行濾波;
將不同的傅里葉濾波模塊的濾波結果進行擬合分析,得出擬合曲線;
在所述光學圖像中,找到與所述擬合曲線中的衍射交叉點對應的噪聲點;
阻擋所述噪聲點并對若干裸片的光學圖像同時進行晶圓缺陷掃描。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述裸片的種類大于1種。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,不同種類的裸片相對應的所述傅里葉濾波模塊的種類不同。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述晶圓表面的各裸片包括若干重復單元。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,位于同一裸片上的重復單元完全相同。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述傅里葉濾波模塊對所述裸片內的重復單元的光學圖像進行濾波。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述噪聲點的反射成像的位置位于所述掃描機臺的第一成像物鏡和第二成像物鏡之間,所述噪聲點的反射成像能夠串成一條線。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述衍射交叉點在所述擬合曲線上的具體位置體現出對應的所述噪聲點的位置以及噪聲強度。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,使用暗場掃描機臺進行晶圓缺陷掃描。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,所述若干裸片由晶圓分割形成。
可選的,在所述晶圓缺陷掃描方法中,使用CMOS圖像傳感器采集晶圓表面的若干裸片的光學圖像。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





