[發明專利]晶圓缺陷掃描方法有效
| 申請號： | 201811458489.1 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN109545700B | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發明（設計）人： | 韓俊偉 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 掃描 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，包括以下步驟：
采集晶圓表面的若干裸片的光學圖像；
在掃描機臺中建立與所述裸片相對應的傅里葉濾波模塊；
利用所述傅里葉濾波模塊對所述裸片進行濾波；
將不同的傅里葉濾波模塊的濾波結果進行擬合分析，得出擬合曲線；
在所述光學圖像中，找到與所述擬合曲線中的衍射交叉點對應的噪聲點；
阻擋所述噪聲點并對若干裸片的光學圖像同時進行晶圓缺陷掃描。
2.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述裸片的種類大于1種。
3.根據權利要求2所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，不同種類的裸片相對應的所述傅里葉濾波模塊的種類不同。
4.根據權利要求3所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述晶圓表面的各裸片包括若干重復單元。
5.根據權利要求4所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，位于同一裸片上的重復單元完全相同。
6.根據權利要求5所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述傅里葉濾波模塊對所述裸片內的重復單元的光學圖像進行濾波。
7.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述噪聲點的反射成像的位置位于所述掃描機臺的第一成像物鏡和第二成像物鏡之間，所述噪聲點的反射成像能夠串成一條線。
8.根據權利要求7所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述衍射交叉點在所述擬合曲線上的具體位置體現出對應的所述噪聲點的位置以及噪聲強度。
9.根據權利要求8所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，使用暗場掃描機臺進行晶圓缺陷掃描。
10.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，所述若干裸片由晶圓分割形成。
11.根據權利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法，其特征在于，使用CMOS圖像傳感器采集晶圓表面的若干裸片的光學圖像。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
