[發(fā)明專利]一種晶圓缺陷掃描方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811458460.3
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109560000B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王洲男;顧曉芳;倪棋梁
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發(fā)明提供了一種晶圓缺陷掃描方法，首先，根據(jù)采集到的晶圓表面的光學(xué)圖像獲取像素網(wǎng)格，獲取所述像素網(wǎng)格的灰階值并劃分出灰階值區(qū)間，然后，將所述灰階值區(qū)間與圖形密度數(shù)據(jù)區(qū)間進(jìn)行組合，得到階梯式靈敏度區(qū)域，最后，對所述階梯式靈敏度區(qū)域進(jìn)行階梯式缺陷掃描。與現(xiàn)有的缺陷掃描方法相比，該方法可以對缺陷掃描區(qū)域進(jìn)行快速準(zhǔn)確的劃分，減少了人為操作失誤，提高了晶圓缺陷掃描的準(zhǔn)確性；進(jìn)一步的，該方法減少了生產(chǎn)成本，提高了工作效率，改善機(jī)臺產(chǎn)能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓缺陷掃描方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路生產(chǎn)工藝過程的復(fù)雜程度不斷提高，器件尺寸不斷縮小，其中，芯片是集成電路的載體，這導(dǎo)致芯片的原材料-晶圓表面的圖形的復(fù)雜程度越來越高。半導(dǎo)體芯片制造工藝中，其中一項(xiàng)重要的步驟是進(jìn)行晶圓缺陷掃描，現(xiàn)今芯片的集成度越來越高，晶圓缺陷掃描的難度也就越來越大。

晶圓缺陷掃描是通過晶圓缺陷掃描機(jī)臺捕獲晶圓表面的缺陷。在晶圓缺陷掃描過程中，主要的一項(xiàng)內(nèi)容是劃分掃描區(qū)域，因受晶圓缺陷掃描技術(shù)的限制，目前掃描區(qū)域的劃分是一項(xiàng)既復(fù)雜又繁瑣的工作。現(xiàn)今的晶圓缺陷掃描方法會造成掃描區(qū)域的劃分不夠準(zhǔn)確，其中，還存在人為因素造成誤差的影響；此外，現(xiàn)今的晶圓缺陷掃描方法也會占用大量的機(jī)臺生產(chǎn)時間，影響機(jī)臺產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓缺陷掃描方法，以解決晶圓缺陷掃描區(qū)域劃分不夠準(zhǔn)確的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓缺陷掃描方法，包括以下步驟：

采集晶圓表面的光學(xué)圖像；

將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為像素網(wǎng)格；

處理所述像素網(wǎng)格表現(xiàn)出的灰階值，得出灰階圖像；

根據(jù)所述灰階圖像中的相似灰階分布，界定所述相似灰階的灰階值區(qū)間，從而在所述晶圓表面分類出不同材質(zhì)的區(qū)域；

將所述灰階值區(qū)間與晶圓表面的圖形密度數(shù)據(jù)區(qū)間組合，在晶圓表面形成階梯式靈敏度區(qū)域，并進(jìn)行階梯式缺陷掃描。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，所述灰階值介于0至255之間。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，所述灰階值區(qū)間的大小介于6至8之間。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，根據(jù)灰階值區(qū)間分類出的不同材質(zhì)的數(shù)量大于1。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，所述圖形密度數(shù)據(jù)區(qū)間為根據(jù)所述晶圓表面的圖像進(jìn)行圖像處理分析得到的數(shù)據(jù)。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，根據(jù)所述灰階值區(qū)間與晶圓表面的圖形密度數(shù)據(jù)區(qū)間的不同組合，對所述階梯式靈敏度區(qū)域設(shè)定不同的掃描精度進(jìn)行階梯式缺陷掃描。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，使用晶圓缺陷掃描機(jī)臺采集所述晶圓表面的光學(xué)圖像。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，還包括在采集晶圓表面的光學(xué)圖像前，將掃描機(jī)臺與所述晶圓對準(zhǔn)的步驟。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，通過對所述光學(xué)圖像進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述像素網(wǎng)格。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，所述缺陷為化學(xué)機(jī)械研磨缺陷。

可選的，在所述晶圓缺陷掃描方法中，所述缺陷為濕法蝕刻缺陷。