[發(fā)明專利]微元件的轉(zhuǎn)移裝置及其轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811455037.8 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN111261568B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫建明 | 申請(專利權(quán))人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 611731 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 元件 轉(zhuǎn)移 裝置 及其 方法 | ||
1.一種微元件的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移裝置包括:至少一個吸附轉(zhuǎn)移組,所述吸附轉(zhuǎn)移組包括:
吸嘴,所述吸嘴具有真空通道,且包括連通所述真空通道的第一腔室;
吸引力產(chǎn)生體,所述吸引力產(chǎn)生體位于所述真空通道內(nèi);其中,所述真空通道包括通過所述第一腔室連通的第一通道和第二通道,所述第一腔室上設(shè)有第一開口,所述吸引力產(chǎn)生體位于所述第一開口一側(cè)的所述第一通道中,所述第二通道與所述第一腔室位于所述第一開口遠離所述第一通道的另一側(cè);所述第一腔室與所述第二通道橫向并列設(shè)置,且所述第一腔室通過第二開口與所述第二通道連通;其中,所述第二通道末端設(shè)有用于吸附所述微元件的第三開口;
活動件,所述活動件位于所述第一腔室中;其中,所述第一腔室內(nèi)盛載有液體,所述活動件至少部分浸沒于所述液體中;其中,所述液體的深度小于所述第二開口至所述第一腔室底壁的距離;其中,所述活動件的橫截面的面積大于或等于所述第一開口的面積;
其中,所述吸引力產(chǎn)生體產(chǎn)生吸力,以使所述活動件靠近所述吸引力產(chǎn)生體,通過堵塞所述第一開口而堵塞所述真空通道,撤銷/改變所述吸引力產(chǎn)生體的吸力,以使所述活動件遠離所述吸引力產(chǎn)生體,繼而遠離所述第一開口,而使所述真空通道暢通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述吸引力產(chǎn)生體包括電極控制電路及電極,所述電極連接所述電極控制電路,所述活動件為帶電活動件,其中,所述電極控制電路用于輸出與所述帶電活動件相反屬性的電荷至所述電極,使得所述帶電活動件靠近所述電極并堵塞所述真空通道,或撤銷/改變輸出至所述電極的電荷,使所述帶電活動件遠離所述電極,進而使得所述真空通道暢通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述帶電活動件的材料包括帶電粒子、聚甲醛、乙基纖維素、聚酰胺、三聚氰胺甲醛、導電材料中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述電極具有至少一個貫穿孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述吸引力產(chǎn)生體包括電磁控制電路及電感線圈,所述電感線圈連接所述電磁控制電路,所述活動件為磁體,其中所述電磁控制電路控制所述電感線圈產(chǎn)生磁吸力,以使所述磁體靠近所述電感線圈而堵塞所述真空通道,或撤銷/改變所述磁吸力以使所述磁體遠離所述電感線圈,進而使所述真空通道暢通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,
所述第一腔室包括靠近所述第一通道一側(cè)的第一腔體壁,所述第一腔體壁上設(shè)有所述第一開口,所述第一腔體壁在靠近所述活動件的一側(cè)設(shè)置有第一彈性密封體,所述活動件在靠近所述第一腔體壁的一側(cè)設(shè)置有第二彈性密封體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述第一彈性密封體和所述第二彈性密封體包括聚二甲基硅氧烷、全氟聚醚、聚四氫呋喃、聚環(huán)氧乙烷、聚氧雜環(huán)丁烷、聚異戊二烯、聚丁二烯、基于氟烯烴的含氟彈性體中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,
所述第三開口的橫截面面積小于或等于所述微元件的橫截面面積。
9.一種用于微元件的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,采用權(quán)利要求 1-8 任一項所述的轉(zhuǎn)移裝置,所述轉(zhuǎn)移方法包括:
將吸嘴移至所述微元件處;
通過真空通道對所述吸嘴進行抽真空以使所述微元件吸附于所述吸嘴上;
通過吸引力產(chǎn)生體產(chǎn)生吸力,使所述活動件靠近所述吸引力產(chǎn)生體,通過堵塞所述第一開口而堵塞所述真空通道;
轉(zhuǎn)移所述微元件至目標位置;
通過撤銷/改變所述吸引力產(chǎn)生體所產(chǎn)生的吸力,以使所述活動件遠離所述吸引力產(chǎn)生體,繼而遠離所述第一開口,而使所述真空通道暢通,進而釋放所述微元件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都辰顯光電有限公司,未經(jīng)成都辰顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811455037.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 轉(zhuǎn)移支撐件及轉(zhuǎn)移模塊
- 轉(zhuǎn)移頭及其制備方法、轉(zhuǎn)移方法、轉(zhuǎn)移裝置
- 器件轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移設(shè)備和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
- 轉(zhuǎn)移基板及制備方法、轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移裝置與轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移系統(tǒng)和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移膜、轉(zhuǎn)移組件和微器件曲面轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移工具及轉(zhuǎn)移方法





