[發(fā)明專利]發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811453487.3 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN111261752B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳志源;李天佑;黃建棟;蔡瑋倫 | 申請(專利權(quán))人: | 光寶光電(常州)有限公司;光寶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址: | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其包括:發(fā)光芯片以及覆蓋于發(fā)光芯片的封裝膠,且封裝膠具有抗粘黏上表面以及抗粘黏環(huán)繞表面。本發(fā)明進一步提供一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括:設(shè)置多個發(fā)光芯片于暫時承載體;形成封裝膠以覆蓋多個發(fā)光芯片;對封裝膠進行切割處理,以形成獨立發(fā)光封裝結(jié)構(gòu);以及對切割后的封裝膠進行表面處理,以使得封裝膠具有抗粘黏上表面以及抗粘黏環(huán)繞表面。本發(fā)明的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法可以有效降低表面粘黏,提高打件良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,特別是涉及一種經(jīng)表面處理的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
近年來,由于發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)具有省電、壽命長、環(huán)保、體積小等多項優(yōu)點,而使發(fā)光組件廣泛應(yīng)用于電子裝置或光學(xué)裝置上。
在現(xiàn)有的封裝工藝中,硅膠材料(Silicone)具有優(yōu)越的耐候、耐熱及光學(xué)特性,被選用為主要的封裝材料。然而,由于硅膠材料具有黏性,在打件工藝中容易粘黏載帶,而造成打件工藝的良率降低。
芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package,CSP)為新型態(tài)的LED封裝,具體來說,CSP的結(jié)構(gòu)只有發(fā)光芯片和五面硅膠包覆。硅膠材料粘黏的情況在CSP工藝上尤為嚴重,現(xiàn)有技術(shù)中常見的抗粘黏處理如:氟素抗粘黏劑、改用硬度較高的硅膠、抗靜電封裝帶及載帶(covertapecarrier)凸塊設(shè)計等方法,但仍具有涂布不均、側(cè)面無法涂布、硬度較高的硅膠易裂開或信賴信差的情況,因此,如何降低CSP表面粘黏以提高打件良率已成為該項事業(yè)所欲解決的重要課題之一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,以改善CSP表面粘黏所造成打件良率差的缺陷,減少工藝中拋料損失及客訴案件。
為了解決上述的技術(shù)問題,本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是,提供一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其包括:一發(fā)光芯片以及一封裝膠,封裝膠覆蓋所述發(fā)光芯片,且具有經(jīng)過表面處理的一抗粘黏上表面以及一抗粘黏環(huán)繞表面,所述發(fā)光芯片所產(chǎn)生的光束沿著一出光路徑而穿過所述封裝膠。
更進一步地,所述發(fā)光芯片具有一出光面以及一環(huán)繞面,所述封裝膠的所述抗粘黏上表面對應(yīng)于所述出光面,所述封裝膠的所述抗粘黏環(huán)繞表面對應(yīng)于所述環(huán)繞面。
更進一步地,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面的一透光層以及圍繞所述環(huán)繞面的一反射層,所述透光層中混有波長轉(zhuǎn)換材料,所述反射層中混有反射材料。
更進一步地,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面的一透光層以及圍繞所述環(huán)繞面的一反射層,且所述透光層被所述反射層所圍繞。
更進一步地,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面且圍繞所述環(huán)繞面的一透光層,所述透光層中混有波長轉(zhuǎn)換材料。
更進一步地,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面且圍繞所述環(huán)繞面的一透光層,且所述封裝膠包括圍繞所述透光層的一反射層,所述反射層中混有反射材料。
更進一步地,所述封裝膠的所述抗粘黏上表面與所述抗粘黏環(huán)繞表面的粗糙度比值為0.009至0.75。
為了解決上述的技術(shù)問題,本發(fā)明所采用的另外一技術(shù)方案是,提供一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括:設(shè)置多個發(fā)光芯片于一暫時承載體;形成一封裝膠以覆蓋所述多個發(fā)光芯片;對所述封裝膠進行切割處理,以形成獨立發(fā)光封裝結(jié)構(gòu);以及對所述切割后的封裝膠進行一表面處理,以使得所述封裝膠具有一抗粘黏上表面以及一抗粘黏環(huán)繞表面。
本發(fā)明的其中一有益效果在于,本發(fā)明所提供的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,其能通過“所述封裝膠具有一抗粘黏上表面以及一抗粘黏環(huán)繞表面”的技術(shù)方案,降低發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)表面粘黏,以提高打件良率。
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