[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811453487.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111261752B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳志源;李天佑;黃建棟;蔡瑋倫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 光寶光電(常州)有限公司;光寶科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址: | 213123 江蘇省常州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)包括:
一發(fā)光芯片;以及
一封裝膠,其覆蓋所述發(fā)光芯片,所述封裝膠具有經(jīng)過(guò)表面處理的一抗粘黏上表面以及一抗粘黏環(huán)繞表面,所述發(fā)光芯片所產(chǎn)生的光束沿著一出光路徑而穿過(guò)所述封裝膠;
其中,所述封裝膠的所述抗粘黏上表面與所述抗粘黏環(huán)繞表面的粗糙度比值為0.009至0.75。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述發(fā)光芯片具有一出光面以及一環(huán)繞面,所述封裝膠的所述抗粘黏上表面對(duì)應(yīng)于所述出光面,所述封裝膠的所述抗粘黏環(huán)繞表面對(duì)應(yīng)于所述環(huán)繞面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面的一透光層以及圍繞所述環(huán)繞面的一反射層,所述透光層中混有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料,所述反射層中混有反射材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透光層被所述反射層所圍繞。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝膠包括設(shè)置在所述出光面且圍繞所述環(huán)繞面的一透光層,所述透光層中混有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝膠包括圍繞所述透光層的一反射層,所述反射層中混有反射材料。
7.一種發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括:
設(shè)置多個(gè)發(fā)光芯片于一暫時(shí)承載體;
形成一封裝膠以覆蓋所述多個(gè)發(fā)光芯片;
對(duì)所述封裝膠進(jìn)行切割處理,以形成獨(dú)立發(fā)光封裝結(jié)構(gòu);以及
對(duì)切割后的所述封裝膠進(jìn)行一表面處理,以使得所述封裝膠具有一抗粘黏上表面以及一抗粘黏環(huán)繞表面;
其中,所述封裝膠的所述抗粘黏上表面與所述抗粘黏環(huán)繞表面的粗糙度比值為0.009至0.75。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述形成封裝膠的步驟中,還進(jìn)一步包括:
形成一反射層,以圍繞所述多個(gè)發(fā)光芯片的一環(huán)繞面,所述反射層中混有一反射材料;以及
形成一透光層,以覆蓋所述多個(gè)發(fā)光芯片的一出光面,所述透光層中混有一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述透光層被所述反射層所圍繞。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,形成所述封裝膠的步驟中,還進(jìn)一步包括:形成一透光層,以圍繞所述多個(gè)發(fā)光芯片的一環(huán)繞面且覆蓋所述多個(gè)發(fā)光芯片的一出光面,所述透光層中混有一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,形成所述封裝膠的步驟中,還進(jìn)一步包括:形成一反射層,以圍繞所述透光層,所述反射層中混有一反射材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述表面處理是物理加工法或化學(xué)蝕刻法。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的發(fā)光封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,對(duì)所述封裝膠進(jìn)行表面處理的步驟后,還進(jìn)一步包括:移除所述暫時(shí)承載體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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