[發明專利]顯示面板及其制備方法和顯示終端

有效

• 申請號: 201811451880.9
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109713156B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 劉貞祥;邢愛民;陳偉偉;王金華;魏曉婷
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

基板；

發光元件，設置于所述基板上；及

薄膜封裝結構，設于所述發光元件上以用于封裝所述發光元件，所述薄膜封裝結構至少包括復合封裝薄膜層，所述復合封裝薄膜層包括含有第一材料的基體和含有第二材料的增強相，所述第一材料和所述第二材料在所述基體和所述增強相的界面處形成分子間氫鍵和/或分子內化學鍵；所述第二材料在所述基體中定向分布；所述第二材料為氨基化二氧化硅納米片和氨基化二氧化硅納米線中的至少一種。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一材料為聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、硅碳氧化物、環氧樹脂中的至少一種，所述第一材料和所述第二材料在所述基體和所述增強相的界面處形成分子間氫鍵。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一材料為環氧樹脂，所述第一材料的環氧基團和所述第二材料的氨基基團在所述基體和所述增強相的界面處形成分子內化學鍵。

4.如權利要求2或3所述的顯示面板，其特征在于，

所述第二材料為氨基化二氧化硅納米片時，所述氨基化二氧化硅納米片在所述基體中以其片層面與所述發光元件的表面平行分布；

所述第二材料為氨基化二氧化硅納米線時，所述氨基化二氧化硅納米線在所述基體中以其長度方向與所述發光元件的表面平行分布。

5.如權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一材料為環氧樹脂，所述基體由所述第一材料形成；所述第二材料為氨基化二氧化硅納米片或氨基化二氧化硅納米線，所述增強相由所述第二材料形成。

6.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述增強相的質量為所述基體和所述增強相的質量總和的0.05％～3％。

7.如權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述增強相的質量為所述基體和所述增強相的質量總和的0.1％～0.5％。

8.如權利要求2或3所述的顯示面板，其特征在于，所述環氧樹脂為脂環族縮水甘油醚環氧樹脂、聚氨酯改性環氧樹脂及雙酚A環氧樹脂中的至少一種。

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成發光元件；及

在所述發光元件上形成薄膜封裝結構；

其中，所述薄膜封裝結構的形成步驟包括：

將增強相的材料分散于有機溶劑中，再分散于基體的材料中以形成預混物；所述基體的材料含有第一材料，所述增強相的材料含有第二材料，所述第一材料和所述第二材料能夠形成分子間氫鍵和/或分子內化學鍵；所述第二材料為氨基化二氧化硅納米片和氨基化二氧化硅納米線中的至少一種；

將所述預混物中的所述第二材料在所述基體的材料中定向分布，并涂覆于所述發光元件上，固化以形成復合封裝薄膜層。

10.如權利要求9所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，將所述預混物中的所述第二材料在所述基體的材料中定向分布的具體為：采用鑄帶成型法將所述預混物經過長扁彎管處理或經旋轉處理，以使所述第二材料在所述基體的材料中定向分布。

11.如權利要求10所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，將所述預混物中的所述第二材料在所述基體的材料中定向分布，并涂覆于所述發光元件上的步驟包括：

將所述預混物除去所述有機溶劑后，采用鑄帶成型法將除去所述有機溶劑的預混物經過長扁彎管定向分布，并涂覆于所述發光元件上；或

將所述預混物直接采用旋涂方式涂覆于所述發光元件上。

12.如權利要求9～11任一項所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述固化采用準分子激光退火，所述固化的溫度為80℃～100℃。

13.一種顯示終端，其特征在于，包括權利要求1～8任一項所述的顯示面板。