[發明專利]一種依托度酸光降解雜質及其制備方法

有效

• 申請號: 201811451706.4
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN109485616B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 張貴民;郝大偉;劉東
• 申請（專利權）人: 魯南制藥集團股份有限公司
• 主分類號: C07D267/00
• 分類號: C07D267/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種依托度酸光降解雜質化合物的制備方法，依托度酸光降解雜質化合物結構式如式Ι所示，

式Ι；

其制備方法包括如下步驟：

（1）將依托度酸溶解在有機溶劑中，對依托度酸溶液進行光照得依托度酸光照破壞液；

（2）超臨界流體色譜純化步驟（1）所得依托度酸光照破壞液，收集含目標產物的洗脫流出液；

（3）快速濃縮蒸干步驟（2）所得洗脫流出液即得式Ι依托度酸光降解雜質化合物；

其中，步驟（1）中光照破壞在有氧的條件下進行，所述的有氧條件是指在將依托度酸溶解在有機溶劑中，加入雙氧水溶液再進行光照破壞；或將依托度酸溶解在有機溶劑中，光照破壞時通入空氣或氧氣；所述雙氧水的質量濃度為1~5%，加入體積為依托度酸溶液體積的0.5~1.5%；

步驟（2）超臨界流體色譜流動相為超臨界CO₂并加入改性劑和添加劑；所述改性劑為極性非質子溶劑或C1~C4烷醇的一種或幾種，添加劑為C1~C3一元酸；改性劑加入量為超臨界CO₂體積的1.5~15%，添加劑加入量為超臨界CO₂體積的0.01~0.5%。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述的有機溶劑為極性非質子溶劑或C1-C4烷醇中的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述的有機溶劑為四氫呋喃、乙酸乙酯、乙腈、乙醇或甲醇。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述的光照強度為3000~6000Lx，光照時間為10~20h。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）超臨界流體色譜填料為裸硅膠、二醇基、氨基型、酰胺型或兩性離子型色譜填料。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）超臨界流體色譜填料為裸硅膠或二醇基硅膠基質填料。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，改性劑為四氫呋喃、乙腈、乙醇和甲醇中的一種或幾種，添加劑為甲酸或乙酸。