[發明專利]一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法

有效

• 申請號: 201811450897.2
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109202065B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 朱嘉琦;姬棟超;楊磊;齊小東;王鵬;代兵
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B22F1/02
• 分類號: B22F1/02;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，本發明涉及納米材料制備領域。本發明要解決現有一維銀納米線導電性能欠佳以及透光性弱的技術問題。方法：一、去除銀納米線表面活性劑；二、稀釋懸浮液；三、金納米顆粒修飾銀納米線。本發明制備的金納米顆粒修飾的銀納米線，具有良好的分散性，金納米顆粒分布均勻，尺寸均一。本發明用于制備金納米顆粒修飾銀納米線。

技術領域

本發明涉及納米材料制備領域。

背景技術

貴金屬納米材料因為其較大的比表面積而具備一系列獨特的物理、化學和結構特性，在光電、能量收集、催化及生物傳感等領域具有至關重要的作用。同時貴金屬納米材料還被發現具有表面增強拉曼散射的功能，尤其對于銀納米線還具有極佳的導電和導熱性能。目前關于金屬納米線的制備主要集中在通過對形核和生長過程的控制，從而得到具有特定形狀、尺寸的納米材料(納米顆粒、納米線)。

對于不同納米材料之間的組合主要集中在核殼結構等零維材料之間，較少考慮異維異質納米材料的組合，同時常用于制備柔性透明導電薄膜的金屬納米材料主要集中在一維銀納米線，該種材料未能充分合理地利用空間，導致材料的透明性和導電性仍然具有較大的局限性。

發明內容

本發明要解決現有一維銀納米線導電性能欠佳以及透光性弱的技術問題，而提供一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法。

一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，具體按以下步驟進行：

一、取銀納米線，將銀納米線進行離心洗滌，去除表面活性劑，然后分散到無水乙醇中，得到懸浮液；

二、將步驟一得到的懸浮液進行超聲分散10～15min，然后采用無水乙醇將體積稀釋十倍，再在超聲條件下進行分散5～15min，得到稀釋懸浮液；

三、將HAuCl₄·3H₂O溶液加入到步驟二得到的稀釋懸浮液中，然后在超聲條件下放置15～30min，再加入硼氫化鈉溶液，靜置30～60min，得到所述金納米顆粒修飾銀納米線。

步驟一中采用的銀納米線購置于上海中新新材有限公司；

步驟三中HAuCl₄·3H₂O溶液為Macklin品牌，Au wt.％＝50％；

本發明在操作前，需將器皿進行清洗，在超聲功率為60W-100W的條件下，將盛有蒸餾水的反應瓶、容量瓶等器皿清洗10-30min，再用新配制的王水浸泡1-6h，最后分別用蒸餾水、乙醇反復清洗10-20次，烘干備用。

本發明利用氯金酸作為金源在銀納米線表面生長金納米顆粒的方法可應用于其他貴金屬納米顆粒，包括金但不限于金(如Pt、Ir等)。

本發明的有益效果是：

本發明采用了一種簡便的方法制備了金納米顆粒修飾銀納米線的異質異維納米材料，該方法采用溶劑熱法，操作方便，工藝簡單。制備的金納米顆粒修飾的銀納米線，具有良好的分散性，金納米顆粒分布均勻，尺寸均一。經測試本發明制備金納米顆粒修飾的銀納米線的電學性能達到15～30Ω/SQ，透光性達到80～90％。該種方法為納米材料的制備提供了新的思路，促進了相關材料的研究和應用領域的拓寬。

本發明用于制備金納米顆粒修飾銀納米線。

附圖說明

圖1為銀納米線及實施例一制備的金納米顆粒修飾銀納米線的紫外光吸收光譜圖；

圖2為銀納米線的透射電鏡圖；

圖3為實施例一制備的金納米顆粒修飾銀納米線的透射電鏡圖。

具體實施方式