[發(fā)明專利]一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811450897.2 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN109202065B | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱嘉琦;姬棟超;楊磊;齊小東;王鵬;代兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號： | B22F1/02 | 分類號： | B22F1/02;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 顆粒 修飾 制備 方法 | ||
1.一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于該方法具體按以下步驟進行：
一、取銀納米線，將銀納米線進行離心洗滌，去除表面活性劑，然后分散到無水乙醇中，得到懸浮液；
二、將步驟一得到的懸浮液進行超聲分散10～15min，然后采用無水乙醇將體積稀釋十倍，再在超聲條件下進行分散5～15min，得到稀釋懸浮液；
三、將HAuCl4·3H2O溶液加入到步驟二得到的稀釋懸浮液中，然后在超聲條件下放置15～30min，再加入硼氫化鈉溶液，靜置30～60min，得到所述金納米顆粒修飾銀納米線；
步驟三中HAuCl4·3H2O溶液的濃度為10mg/mL，HAuCl4·3H2O溶液與稀釋懸浮液的體積比為1∶10；
步驟三中硼氫化鈉溶液的濃度為25μmol/mL，硼氫化鈉溶液與稀釋懸浮液的體積比為1∶10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟一中銀納米線的直徑為30nm，長徑比為1000。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟一中采用無水乙醇進行離心洗滌，離心洗滌5-10次。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟一懸浮液中銀納米線濃度為10mg/mL。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟二中超聲功率均為60～80W。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟三中超聲功率為50W～80W。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟三中超聲功率為60W。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金納米顆粒修飾銀納米線的制備方法，其特征在于步驟三中反應(yīng)溫度為60℃。
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