[發明專利]晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 201811450890.0
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN110021530B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 林憲信
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種形成晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供基板以及形成在所述基板上的多個柵極結構；

在所述多個柵極結構之間形成犧牲層；

在所述犧牲層的一部分上形成遮罩層，所述犧牲層包括由所述遮罩層遮住的第一部分和未由所述遮罩層遮住的第二部分；

去除所述犧牲層的第二部分形成第一開口；

在所述第一開口中形成介電層；

去除所述遮罩層；

去除所述犧牲層的第一部分形成第二開口；以及

在所述第二開口中形成第一接觸插塞；

所述方法還包括：在去除從所述犧牲層的第二部分之后去除部分所述柵極結構，使得部分第一開口形成為擴展的第一開口，從而在俯視圖中形成期望圖案的柵極結構。

2.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，形成所述第二開口包括：相對于所述介電層選擇性地蝕刻所述犧牲層的第一部分。

3.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，還包括：

在形成所述遮罩層之前，在所述柵極結構和所述犧牲層上執行平坦化制程。

4.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述柵極結構的高度在所述柵極結構的間距的100％至150％的范圍內。

5.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述柵極結構包括間隔物，所述間隔物具有平坦的頂表面。

6.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述第一接觸插塞的側壁與所述第一接觸插塞的頂面之間的角度大于70°。

7.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述第一接觸插塞的最大寬度小于或等于所述柵極結構的間距的33％。

8.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述犧牲層包括多晶硅，SiGe，摻雜多晶硅，摻雜SiGe或上述這些任意兩種或兩種以上的組合。

9.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述柵極結構包括虛設柵極，所述方法還包括：

在形成所述介電層之后用金屬柵極代替所述虛設柵極，并在所述金屬柵極上形成柵極蓋層。

10.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，形成所述遮罩層包括：

使用具有第一光遮罩的第一圖案化制程形成所述遮罩層的第一部分；以及

使用具有第二光遮罩的第二圖案化制程形成所述遮罩層的第二部分。

11.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述介電層包括氧化硅，氮化硅，氧氮化硅，四乙氧基硅烷，磷硅酸鹽玻璃，硼磷硅酸鹽玻璃，氟化硅膠玻璃，碳摻雜的氧化硅，無定形氟化碳，聚對二甲苯，雙苯并環丁烯，聚酰亞胺或上述這些任意兩種或兩種以上的組合。

12.如權利要求1所述的形成晶體管的方法，其特征在于，還包括：

在所述柵極結構上形成第二接觸插塞。