[發(fā)明專利]晶體管及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811450890.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN110021530B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林憲信
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本發(fā)明公開一種形成晶體管的方法，包括：提供基板以及形成在所述基板上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間形成犧牲層；在所述犧牲層的一部分上形成遮罩層，所述犧牲層包括由所述遮罩層遮住的第一部分和未由所述遮罩層遮住的第二部分；去除所述犧牲層的第二部分形成第一開口；在所述第一開口中形成所述介電層；去除所述遮罩層；去除所述犧牲層的第一部分形成第二開口；以及在所述第二開口中形成第一接觸插塞。這樣可以更加準(zhǔn)確的控制接觸的尺寸，并且可以使接觸與柵極保持分隔開，使得接觸僅形成在柵極結(jié)構(gòu)之間的位置處，防止接觸形成在柵極結(jié)構(gòu)之上。因此，可以減小柵極和接觸之間的電容，最小化電容變化，保持運(yùn)行穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路工業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。集成電路設(shè)計(jì)的發(fā)展和材料技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了幾代集成電路。每一代都有比前一代更小更復(fù)雜的電路。在集成電路開發(fā)過程中，幾何尺寸逐漸縮小。

隨著集成電路尺寸縮小，晶體管中漏極(源極)接觸(contact)結(jié)構(gòu)之間的空間減小。因此，目前形成接觸的制程可能會(huì)使柵極和漏極(源極)接觸之間的電容(Cgd)增加。

如何減小晶體管中柵極和漏極(源極)接觸之間的電容，成為本領(lǐng)域亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種改進(jìn)的晶體管及其形成方法，可以減小柵極和漏極(源極)接觸之間的電容。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，公開一種形成晶體管的方法，包括：

提供基板以及形成在所述基板上的柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成犧牲層；

在所述犧牲層的一部分上形成遮罩層，所述犧牲層包括由所述遮罩層遮住的第一部分和未由所述遮罩層遮住的第二部分；

去除所述犧牲層的第二部分形成第一開口；

在所述第一開口中形成所述介電層；

去除所述遮罩層；

去除所述犧牲層的第一部分形成第二開口；以及

在所述第二開口中形成第一接觸插塞。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，公開一種晶體管，包括：

柵極結(jié)構(gòu)，包括在基板的相對(duì)側(cè)上的間隔物；

介電層，設(shè)置在所述柵極結(jié)構(gòu)之間；以及

第一接觸插塞，設(shè)置在所述介電層中的所述柵極結(jié)構(gòu)之間；

其中所述間隔物具有平坦的頂表面。

本發(fā)明提供的形成晶體管的方法利用在將要形成柵極結(jié)構(gòu)之間的接觸的位置處形成的自對(duì)準(zhǔn)犧牲層，而后去除犧牲層以形成接觸(第一接觸插塞)，這樣可以更加準(zhǔn)確的控制接觸的尺寸，并且可以使接觸與柵極保持分隔開，使得接觸僅形成在柵極結(jié)構(gòu)之間的位置處，防止接觸形成在柵極結(jié)構(gòu)之上。因此，可以減小柵極和接觸(例如漏極接觸或源極接觸)之間的電容，最小化電容變化，保持運(yùn)行穩(wěn)定。

在閱讀了隨后以不同附圖展示的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明之后，本發(fā)明的這些和其它目標(biāo)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說無(wú)疑將變得明顯。

附圖說明

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成晶體管的方法的流程圖。

圖2A，3A，4A，5A，6A，7A，8A，9A，10A，11A是根據(jù)一些實(shí)施例的形成晶體管的各個(gè)階段的橫截面圖示。

圖2B，3B，4B，5B，6B，7B，8B，9B，10B，11B是根據(jù)一些實(shí)施例的形成晶體管的各個(gè)階段的俯視圖。