[發明專利]轉置頭有效
| 申請號: | 201811448780.0 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110197808B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發明(設計)人: | 陳立宜 | 申請(專利權)人: | 美科米尚技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張琳 |
| 地址: | 薩摩亞阿庇亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 轉置頭 | ||
1.一種轉置頭,其特征在于,包含:
本體,具有多個抓取區域的多個陣列,其中每個該陣列包含至少二欄的該多個抓取區域,其中在該多個欄中的一個欄里的該多個抓取區域電性串聯且限制在一個階段中被控制,該多個陣列中的一個陣列里的該多個欄由單個電壓源控制,且該多個陣列中的兩個陣列里的該多個欄分別由二個電壓源控制;
該本體進一步具有多個凹槽,該多個凹槽中的一個位于該多個欄中的相鄰兩個中的該多個抓取區域之間,或該多個欄中的一個位于該多個凹槽中的相鄰兩個之間,其中該多個凹槽中的一個與該多個凹槽中的其它凹槽隔離。
2.如權利要求1所述的轉置頭,其特征在于,該多個凹槽中的一個位于該多個欄中的一個內的該多個抓取區域中的相鄰兩個之間,或該多個欄中的一個內的該多個抓取區域中的一個位于穿插于該多個欄中的該欄的該多個凹槽中的相鄰兩個之間。
3.如權利要求1所述的轉置頭,其特征在于,該多個陣列至少部分地互嵌,其中該多個欄中的相鄰兩個分別屬于該多個陣列中的兩個,且該多個欄中的該相鄰兩個之間的間距小于該多個抓取區域中的一個的橫向長度的兩倍。
4.如權利要求1所述的轉置頭,其特征在于,該多個陣列至少部分地互嵌,其中該多個欄中的相鄰兩個分別屬于該多個陣列中的兩個,且該多個欄中的該相鄰兩個之間的間距大于或等于該多個抓取區域中的一個的橫向長度的兩倍。
5.如權利要求1所述的轉置頭,其特征在于,該多個欄具有延伸方向,該多個欄中的一部分的該多個抓取區域沿著該延伸方向偏離該多個欄中的剩余部分的該多個抓取區域。
6.如權利要求5所述的轉置頭,其特征在于,該多個陣列中的一個內,該多個欄中的至少一個的該多個抓取區域沿著該延伸方向偏離該多個欄中的剩余部分的該多個抓取區域。
7.如權利要求6所述的轉置頭,其特征在于,該多個陣列中的每一個的該多個欄是錯開式的偏離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





