[發明專利]太陽能電池

在審

• 申請號: 201811448207.X
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111106187A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 葉峻銘;黃崇杰;羅俊杰
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 喻穎

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

n型硅基板，具有第一表面與相對于所述第一表面的第二表面；

p型摻雜區，形成于所述n型硅基板的所述第一表面；

抗反射層，形成于所述p型摻雜區上；

n+型背電場，形成于所述n型硅基板的所述第二表面；

多個鋁電極，形成于所述p型摻雜區上；

多個鋁摻雜區，形成于所述多個鋁電極下的所述p型摻雜區內，且所述多個鋁摻雜區與所述多個鋁電極直接接觸；以及

背電極，形成于所述n型硅基板的所述第二表面上。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述鋁摻雜區延伸至所述n型硅基板內，而使所述鋁摻雜區的深度比所述p型摻雜區的深度深。

3.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

n型硅基板，具有第一表面與相對于所述第一表面的第二表面；

p型摻雜區，形成于所述n型硅基板的所述第一表面；

多晶硅層，形成于所述p型摻雜區上；

抗反射層，形成于所述多硅晶層上；

多個鋁電極，形成于所述多晶硅層上；

多個鋁摻雜區，形成于所述多個鋁電極下的所述多晶硅層內，且所述多個鋁摻雜區與所述多個鋁電極直接接觸；

n+型背電場，形成于所述n型硅基板的所述第二表面；以及

背電極，形成于所述n型硅基板的所述第二表面上。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中所述多晶硅層的材料包括多晶硅、多晶氧化硅、多晶碳化硅或其組合。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中所述多晶硅層的厚度介于10nm～500nm。

6.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中所述鋁摻雜區延伸至所述p型摻雜區內。

7.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其中所述鋁摻雜區的摻雜濃度比所述p型摻雜區的摻雜濃度大兩倍以上。

8.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其中所述p型摻雜區的摻質包括硼、鋁、鎵、銦、鉈、鍺或前述元素的組合。

9.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其中所述鋁摻雜區為連續區域或非連續區域。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中所述連續區域包括線型區域。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中所述非連續區域包括點狀區域或虛線型區域。

12.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其中所述抗反射層為單層或多層結構。

13.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其中所述n⁺型背電場為全面背電場或局部背電場。