[發明專利]一種榛子離體培養技術

在審

• 申請號: 201811448057.2
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109349114A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 王小宇;王露
• 申請（專利權）人: 廣西玉林玖旺農業科技有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00;A01G17/00
• 代理公司: 玉林市振盛專利商標代理事務所 45109
• 代理人: 盧翔飛

1.一種榛子離體培養技術，其特征在于包括以下步驟：

步驟1，花蕾選擇及處理：晴朗天氣早上取健壯植株上的花蕾，用改良品紅染色鏡檢花粉發育時期，選擇小孢子發育處于單核靠邊期的花粉作為外植體,花蕾采摘后先在10℃條件下進行低溫預處理12天后備用；

步驟2，花愈傷組織誘導：將步驟1處理后的花蕾先用洗潔精水溶液浸泡20min，然后用自來水沖洗40min，擦干表面水分后在超凈工作臺中以70%～80%乙醇浸泡20s，0.1%升汞溶液消毒40min，再用無菌水清洗10次后置于無菌濾紙上用已消毒的鑷子和解剖針剖開花蕾，取出花藥并接種于花藥誘導培養基上進行愈傷組織誘導,接種后置于每天光照20小時，光照強度為2000lx，培養溫度為27℃的條件下培養直至形成愈傷組織；花誘導培養基為：MS+0.45mg/L6-BA+4mg/L2,4-D+6.0%蔗糖+1.0%瓊脂+0.8%活性炭，pH值為5.8;

步驟3，不定芽分化：將步驟2形成的愈傷組織轉接于分化培養基中進行不定芽分化誘導,接種后先在27℃條件下全暗培養16天，然后置于每天光照13小時，光照強度為2600lx，培養溫度為27℃的條件下培養直至形成不定芽；分化培養基為：MS+6mg/L KT+3mg/L NAA+21mg/L AgNO₃+5.6%蔗糖+1.0%瓊脂+0.8%活性炭，pH值為5.8;

步驟4，生根培養：將步驟3所獲得的高度約為6cm的不定芽切割并接種到生根培養基上進行生根培養，接種后先在27℃條件下全暗培養12天，然后置于每天光照18小時，光照強度為3000lx，培養溫度為27℃的條件下培養至生根；生根培養基為：1/2MS+2mg/L NAA+3mg/LIBA+5.5%蔗糖+1.0%瓊脂+0.8%活性炭，pH值為5.8;

步驟5，煉苗移栽：待幼苗長至幾條短的白根后置于自然光照下煉苗12天后，洗凈根部培養基，移栽由營養土：沙土：蛭石=3:2:1混合成的基質,置于光照培養箱內培養，每天以1/4MS大量元素營養液給幼苗澆水，保持濕度,待幼苗成活后再移栽大田。