[發(fā)明專利]發(fā)光器件、顯示裝置及顯示裝置的制造方法和發(fā)電裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811445903.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111244200A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹蔚然;錢磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0296 | 分類號(hào): | H01L31/0296;H01L31/028;H01L31/032;H01L33/28;H01L33/34;H01L51/46;H01L51/54;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 顯示裝置 制造 方法 發(fā)電 裝置 | ||
本發(fā)明涉及光電器件技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種發(fā)光器件、顯示裝置及顯示裝置的制造方法和發(fā)電裝置。所述發(fā)光器件包括光源、襯底、核心功能單元,所述核心功能單元包括陽極、核心功能層、陰極,所述核心功能層設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間;所述核心功能層與所述陰極之間還包括第一傳輸層;所述核心功能層的材料由納米顆粒和半導(dǎo)體材料混合而成;還包括設(shè)置在所述襯底背對(duì)于所述核心功能單元一側(cè)的光源。本發(fā)明發(fā)光器件,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)發(fā)光亮度的有效調(diào)節(jié),以獲得不同亮度需求的發(fā)光效果。基于該發(fā)光器件的顯示裝置,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)像素單元亮度的調(diào)節(jié),從而形成有效的顯示,極大的擴(kuò)展了發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種發(fā)光器件、顯示裝置及顯示裝置的制造方法和發(fā)電裝置。
背景技術(shù)
膠體量子點(diǎn)材料(Quantum dots,QDs)作為發(fā)光材料,相比其他發(fā)光材料具有難以比擬的優(yōu)勢(shì),如發(fā)光波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)、超高的內(nèi)量子效率、優(yōu)異的色純度等,在未來顯示技術(shù)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。由于材料的光學(xué)特性,量子點(diǎn)被應(yīng)用在LCD面板中提高色域。同時(shí),隨著量子點(diǎn)電致發(fā)光(量子點(diǎn)發(fā)光二極管,QLED)研究的不斷深入,產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程也取得越來越多的進(jìn)展。
目前市場(chǎng)上的量子點(diǎn)顯示技術(shù)主要使用量子點(diǎn)光致發(fā)光的原理,將量子點(diǎn)材料裝在藍(lán)色背光上,藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)而發(fā)出紅光和綠光,這樣形成的紅綠藍(lán)三基色可以擴(kuò)大幅度提高液晶顯示的飽和度,但是這種技術(shù)只是液晶顯示性能的一種提升,其對(duì)顏色及色階的控制還利用液晶的偏轉(zhuǎn)來控制。另外一方面,現(xiàn)在正在進(jìn)行技術(shù)開發(fā)的量子點(diǎn)電致發(fā)光技術(shù)(QLED)與OLED技術(shù)類似,屬于主動(dòng)發(fā)光類型,通電情況下,量子點(diǎn)像素發(fā)光,通過控制器件的電流或電壓實(shí)現(xiàn)開關(guān)和色階的調(diào)整。
不過目前的量子點(diǎn)顯示設(shè)備,其結(jié)構(gòu)均為膜層結(jié)構(gòu),而且除材料之外,層結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,而且只能實(shí)現(xiàn)光致發(fā)光而不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)光致發(fā)電的功能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光器件,旨在提供光強(qiáng)度可調(diào)的器件結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,本發(fā)明還提供一種顯示裝置及其制造方法,旨在為光致發(fā)光顯示設(shè)備提供更豐富的結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對(duì)光致發(fā)光顯示的調(diào)節(jié)。
最后,本發(fā)明還提供一種發(fā)電裝置。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種發(fā)光器件,包括光源、襯底、核心功能單元,所述核心功能單元包括陽極、核心功能層、陰極,所述核心功能層設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間;所述核心功能層與所述陰極之間還包括第一傳輸層;
所述核心功能層的材料由納米顆粒和半導(dǎo)體材料混合而成;
還包括設(shè)置在所述襯底背對(duì)于所述核心功能單元一側(cè)的光源。
相應(yīng)地,一種顯示裝置,包括多個(gè)重復(fù)排列的像素單元;所述像素單元包括如上所述的發(fā)光器件,所述發(fā)光器件共用同一所述襯底,所述光源均位于所述襯底同一側(cè)。
相應(yīng)地,一種顯示裝置的制造方法,至少包括以下步驟:
提供襯底;
在所述襯底的一表面上形成像素界定層和第一電極,由所述像素界定層圍合成若干像素槽,所述第一電極設(shè)于所述像素槽中;
在所述像素槽中的第一電極上形成核心功能層;
在所述核心功能層上形成第二電極;
在所述襯底背對(duì)所述核心功能層的一側(cè)設(shè)置光源;
其中,若所述第一電極為陽極,所述第二電極為陰極時(shí),在所述核心功能層上形成第二電極之前,還包括在所述核心功能層上形成第一傳輸層的步驟,所述第二電極形成于所述第一傳輸層上;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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