[發明專利]發光器件、顯示裝置及顯示裝置的制造方法和發電裝置在審
| 申請號: | 201811445903.5 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN111244200A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 曹蔚然;錢磊 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/028;H01L31/032;H01L33/28;H01L33/34;H01L51/46;H01L51/54;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 顯示裝置 制造 方法 發電 裝置 | ||
1.一種發光器件,其特征在于,包括光源、襯底、核心功能單元;所述核心功能單元包括陽極、核心功能層、陰極,所述核心功能層設置在所述陽極和所述陰極之間;所述核心功能層與所述陰極之間還包括第一傳輸層;
所述核心功能層的材料由納米顆粒和半導體材料混合而成;
還包括設置在所述襯底背對于所述核心功能單元一側的光源。
2.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,還包括第一輔助功能層,所述第一輔助功能層設置在所述陰極和所述第一傳輸層之間。
3.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述陽極和核心功能層之間還包括第二傳輸層。
4.如權利要求3所述的發光器件,其特征在于,所述陽極與所述第二傳輸層之間還包括第二輔助功能層。
5.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述納米顆粒為量子點或者納米棒或者納米片;
所述半導體材料為無機半導體材料、有機半導體材料、有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體材料中的至少一種。
6.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述襯底為透明襯底;所述陽極和陰極均為透明電極。
7.如權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述第一傳輸層的材料選自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Ca、Ba、CsF、LiF、Cs2CO3中的至少一種。
8.如權利要求2所述的發光器件,其特征在于,所述第一輔助功能層的材料選自三(8-羥基喹啉)鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉中的至少一種。
9.如權利要求3所述的發光器件,其特征在于,所述第二傳輸層的材料選自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-雙-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺、NiOx、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2中的至少一種。。
10.如權利要求4所述的發光器件,其特征在于,所述第二輔助功能層的材料選自聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、MoOx、WOx、CrOx、CuO、CuS中的至少一種。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括多個重復排列的像素單元;所述像素單元包括權利要求1-10任一項所述的發光器件,所述發光器件共用同一所述襯底,所述光源均位于所述襯底同一側。
12.如權利要求11所述的顯示裝置,其特征在于,所述像素單元包括紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍色子像素單元;所述紅色子像素單元為紅色發光器件,所述綠色子像素單元為綠色發光器件,所述藍色子像素單元為藍色發光器件。
13.如權利要求11所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括設置于襯底上的像素界定層,所述像素界定層位于相鄰的所述核心功能單元之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





