[發明專利]用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置及其加工方法有效
| 申請號： | 201811445496.8 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN109355631B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;潘杰;王學澤;楊其垚 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐彥圣 |
| 地址： | 315000 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 濺射 系統 提高 薄膜 均勻 裝置 及其 加工 方法 | ||
本發明公開了用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置及其加工方法，涉及濺射設備技術領域。包括本體，所述本體包括與基板連接的圓柱體、以及圓臺體；所述圓柱體具有第一原子通道；沿所述圓臺體的窄面至所述圓臺體的寬面的方向，所述圓臺體上開設有若干個相互獨立的第二原子通道；若干個所述第二原子通道布滿所述圓臺體，其中，所述第二原子通道的截面為六邊形；所述第一原子通道與所述第二原子通道連通；位于所述圓臺體的寬面，所述圓臺體與所述圓柱體一體成型；該用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置能夠提高薄膜的均勻性。
技術領域
本發明涉及補償發生設備技術領域，尤其是涉及用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置及其加工方法。
背景技術
濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板表面形成薄膜材料。
在原子沉積在基板形成薄膜的過程中，會出現不規則運動的原子，不規則運動的原子若沉積在基板上形成薄膜，則會使得薄膜均勻性較差。
發明內容
本發明的目的在于提供用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置及其加工方法，該用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置能夠提高薄膜的均勻性。
為實現上述目的，本發明提供以下技術方案：
根據本發明的一方面，提供用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置，包括本體，所述本體包括與基板連接的圓柱體、以及圓臺體；
所述圓柱體具有第一原子通道；
沿所述圓臺體的窄面至所述圓臺體的寬面的方向，所述圓臺體上開設有若干個相互獨立的第二原子通道；若干個所述第二原子通道布滿所述圓臺體，其中，所述第二原子通道的截面為六邊形；
所述第一原子通道與所述第二原子通道連通；
位于所述圓臺體的寬面，所述圓臺體與所述圓柱體一體成型。
進一步地，遠離所述圓臺體，所述圓柱體的外壁設有環繞所述圓柱體一周、且向外凸出的環狀凸起。
進一步地，沿所述圓臺體的窄面至所述圓臺體的寬面的方向，所述環狀凸起上設有貫穿所述環狀凸起、且與基板連接的連接部。
進一步地，所述連接部包括與基板連接的圓柱通道、以及與基板適應的第一U型缺口；
背向所述圓臺體，所述環狀凸起設有所述第一U型缺口；
沿所述圓臺體的窄面至所述圓臺體的寬面的方向，所述圓柱通道貫穿所述環狀凸起，且與所述第一U型缺口連通。
進一步地，所述連接部還包括與基板適應的第二U型缺口；
朝向所述圓臺體，所述環狀凸起設有所述第二U型缺口。
根據本發明的另一方面，提供用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，采用上述技術方案提供的用于濺射系統上提高薄膜均勻性的裝置，包括以下步驟：
截面為圓形的第二原子通道形成步驟：沿本體的軸心方向，在除去圓柱體的剩余本體上鉆出若干個相互獨立的第二原子通道，若干個所述第二原子通道布滿所述剩余本體，且所述第二原子通道與所述圓柱體具有的第一原子通道連通，其中，所述第二原子通道的截面為圓形；
圓臺體形成步驟：將所述剩余本體半精車形成圓臺體，且所述第二原子通道的截面隨之改變；
截面為六邊形的第二原子通道形成步驟：將截面改變的所述第二原子通道經銑床加工成截面為六邊形的所述第二原子通道。
進一步地，在所述截面為圓形的第二原子通道形成步驟與所述圓臺體形成步驟之間，還包括：
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