[發(fā)明專利]用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置及其加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811445496.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN109355631B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚力軍;潘杰;王學(xué)澤;楊其垚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;B23P15/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 徐彥圣

1.用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，包括本體，

所述本體包括與基板連接的圓柱體、以及圓臺(tái)體；

所述圓柱體具有第一原子通道；

沿所述圓臺(tái)體的窄面至所述圓臺(tái)體的寬面的方向，所述圓臺(tái)體上開設(shè)有若干個(gè)相互獨(dú)立的第二原子通道；若干個(gè)所述第二原子通道布滿所述圓臺(tái)體，其中，所述第二原子通道的截面為六邊形；

所述第一原子通道與所述第二原子通道連通；

位于所述圓臺(tái)體的寬面，所述圓臺(tái)體與所述圓柱體一體成型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，遠(yuǎn)離所述圓臺(tái)體，所述圓柱體的外壁設(shè)有環(huán)繞所述圓柱體一周、且向外凸出的環(huán)狀凸起。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，沿所述圓臺(tái)體的窄面至所述圓臺(tái)體的寬面的方向，所述環(huán)狀凸起上設(shè)有貫穿所述環(huán)狀凸起、且與基板連接的連接部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，所述連接部包括與基板連接的圓柱通道、以及與基板適應(yīng)的第一U型缺口；

背向所述圓臺(tái)體，所述環(huán)狀凸起設(shè)有所述第一U型缺口；

沿所述圓臺(tái)體的窄面至所述圓臺(tái)體的寬面的方向，所述圓柱通道貫穿所述環(huán)狀凸起，且與所述第一U型缺口連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，所述連接部還包括與基板適應(yīng)的第二U型缺口；朝向所述圓臺(tái)體，所述環(huán)狀凸起設(shè)有所述第二U型缺口。

6.用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，加工權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置，其特征在于，包括以下步驟：

截面為圓形的第二原子通道形成步驟：沿本體的軸心方向，在除去圓柱體的剩余本體上鉆出若干個(gè)相互獨(dú)立的第二原子通道，若干個(gè)所述第二原子通道布滿所述剩余本體，且所述第二原子通道與所述圓柱體具有的第一原子通道連通，其中，所述第二原子通道的截面為圓形；

圓臺(tái)體形成步驟：將所述剩余本體半精車形成圓臺(tái)體，且所述第二原子通道的截面隨之改變；

截面為六邊形的第二原子通道形成步驟：將截面改變的所述第二原子通道經(jīng)銑床加工成截面為六邊形的所述第二原子通道。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，其特征在于，在所述截面為圓形的第二原子通道形成步驟與所述圓臺(tái)體形成步驟之間，還包括：

環(huán)狀凸起形成步驟：將所述圓柱體的外壁精車形成環(huán)繞所述圓柱體一周、且向外凸出的環(huán)狀凸起。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，其特征在于，在所述環(huán)狀凸起形成步驟與所述圓臺(tái)體形成步驟之間，還包括：

連接部形成步驟：在所述環(huán)狀凸起上鉆出連接部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，其特征在于，連接部形成的具體步驟包括：

在所述環(huán)狀凸起鉆出第一U型缺口；

在所述環(huán)狀凸起上鉆出貫穿所述環(huán)狀凸起的圓柱通道，所述圓柱通道與所述第一U型缺口連通。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于濺射系統(tǒng)上提高薄膜均勻性的裝置的加工方法，其特征在于，連接部形成的具有步驟還包括：

在所述環(huán)狀凸起上鉆出第二U型缺口。