[發明專利]真空鍍膜設備

有效

• 申請號: 201811444807.9
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109252138B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 趙斌
• 申請（專利權）人: 東莞市一粒米薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/56
• 代理公司: 深圳中細軟知識產權代理有限公司 44528
• 代理人: 仉玉新

本發明屬于真空鍍膜技術領域，尤其涉及一種真空鍍膜設備。該真空鍍膜設備，包括第一真空腔室排、第二真空腔室排、大氣回轉裝置、真空回轉裝置、第一驅動機構及第二驅動機構，第一真空腔室排、真空回轉裝置、第二真空腔室排及大氣回轉裝置順次排布以形成循環，第一真空腔室排及第二真空腔室排均位于大氣回轉裝置與真空回轉裝置之間，第一真空腔室排包括多個沿第一方向順次排布的第一前緩沖真空室，第二真空腔室排包括沿第二方向順次排布的真空鍍膜室及后緩沖真空室，后緩沖真空室設有多個，且沿第二方向順次排布，各第一前緩沖真空室在第一方向上的延伸長度之和大于各后緩沖真空室在第二方向上的延伸長度之和。

技術領域

本發明屬于真空鍍膜技術領域，尤其涉及一種真空鍍膜設備。

背景技術

真空鍍膜是在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面形成鍍膜層的一種技術。

真空鍍膜技術應用在眾多領域，如平板顯示器領域內的透明電極鍍膜、家電制造領域內的塑料裝飾鍍膜以及建筑材料領域內的玻璃陶瓷裝飾鍍膜等。

未經鍍膜的基片表面通常會預先進行設計圖案的印刷，待印刷圖案烘干形成印刷涂層后再進行真空鍍膜。但是，印刷涂層內殘留的水分和其他化學藥劑成分，在真空條件下會很大程度上影響鍍膜層的附著性能及致密性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：針對現有的印刷涂層內的水分和化學藥劑成分影響鍍膜層的附著性能及致密性的技術缺陷，提供一種真空鍍膜設備。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種真空鍍膜設備，包括第一真空腔室排、第二真空腔室排、大氣回轉裝置、真空回轉裝置、第一驅動機構及第二驅動機構，所述第一真空腔室排、所述真空回轉裝置、所述第二真空腔室排及所述大氣回轉裝置順次排布以形成循環，所述第一真空腔室排及所述第二真空腔室排均位于所述大氣回轉裝置與所述真空回轉裝置之間，由所述大氣回轉裝置至所述真空回轉裝置的方向為第一方向，由所述真空回轉裝置至所述大氣回轉裝置的方向為第二方向；

所述第一真空腔室排包括多個沿所述第一方向順次排布的第一前緩沖真空室，所述第二真空腔室排包括沿所述第二方向順次排布的真空鍍膜室及后緩沖真空室，所述后緩沖真空室設有多個，且沿所述第二方向順次排布，各所述第一前緩沖真空室在所述第一方向上的延伸長度之和大于各所述后緩沖真空室在所述第二方向上的延伸長度之和；

所述第一驅動機構用于驅動承載基片的基片車沿所述第一方向穿過所述第一真空腔室排，所述第二驅動機構用于驅動所述基片車沿所述第二方向穿過所述第二真空腔室排；

所述真空回轉裝置用于將所述基片車在真空條件下由所述第一真空腔室排轉動至所述第二真空腔室排，所述大氣回轉裝置用于將所述基片車由所述第二真空腔室排轉動至所述第一真空腔室排。

可選地，各所述第一前緩沖真空室在所述第一方向上的延伸長度之和等于所述第一真空腔室排在所述第一方向上的延伸長度。

可選地，所述第一真空腔室排在所述第一方向上的延伸長度等于所述第二真空腔室排在所述第二方向上的延伸長度。

可選地，所述第二真空腔室排與所述第一真空腔室排并排且對齊設置。

可選地，所述第一方向及所述第二方向均為線性方向。

可選地，多個所述第一前緩沖真空室分別為沿所述第一方向順次排布的第一低真空室及第一高真空室，所述第一高真空室內的真空度高于所述第一低真空室內的真空度；

所述第二真空腔室排包括沿所述第二方向順次排布的第二高真空室及第二低真空室，所述第二高真空室內的真空度高于所述第二低真空室內的真空度。

可選地，所述第一低真空室為進口真空室，所述第一高真空室包括沿所述第一方向排布且真空度逐漸增高的進口真空鎖定室及進口真空過渡室；