[發(fā)明專利]真空鍍膜設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811444807.9 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN109252138B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙斌 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞市一粒米薄膜科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/22 | 分類號: | C23C14/22;C23C14/56 |
| 代理公司: | 深圳中細軟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44528 | 代理人: | 仉玉新 |
| 地址: | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空腔室 回轉(zhuǎn)裝置 緩沖真空室 排布 真空鍍膜設(shè)備 第一驅(qū)動機構(gòu) 真空鍍膜技術(shù) 真空鍍膜室 驅(qū)動機構(gòu) 延伸 | ||
1.一種真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,包括第一真空腔室排、第二真空腔室排、大氣回轉(zhuǎn)裝置、真空回轉(zhuǎn)裝置、第一驅(qū)動機構(gòu)及第二驅(qū)動機構(gòu),所述第一真空腔室排、所述真空回轉(zhuǎn)裝置、所述第二真空腔室排及所述大氣回轉(zhuǎn)裝置順次排布以形成循環(huán),所述第一真空腔室排及所述第二真空腔室排均位于所述大氣回轉(zhuǎn)裝置與所述真空回轉(zhuǎn)裝置之間,由所述大氣回轉(zhuǎn)裝置至所述真空回轉(zhuǎn)裝置的方向為第一方向,由所述真空回轉(zhuǎn)裝置至所述大氣回轉(zhuǎn)裝置的方向為第二方向;
所述第一真空腔室排包括多個沿所述第一方向順次排布的第一前緩沖真空室,所述第二真空腔室排包括沿所述第二方向順次排布的真空鍍膜室及后緩沖真空室,所述后緩沖真空室設(shè)有多個,且沿所述第二方向順次排布,各所述第一前緩沖真空室在所述第一方向上的延伸長度之和大于各所述后緩沖真空室在所述第二方向上的延伸長度之和;
所述第一驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動承載基片的基片車沿所述第一方向穿過所述第一真空腔室排,所述第二驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述基片車沿所述第二方向穿過所述第二真空腔室排;
所述真空回轉(zhuǎn)裝置用于將所述基片車在真空條件下由所述第一真空腔室排轉(zhuǎn)動至所述第二真空腔室排,所述大氣回轉(zhuǎn)裝置用于將所述基片車由所述第二真空腔室排轉(zhuǎn)動至所述第一真空腔室排。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,各所述第一前緩沖真空室在所述第一方向上的延伸長度之和等于所述第一真空腔室排在所述第一方向上的延伸長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述第一真空腔室排在所述第一方向上的延伸長度等于所述第二真空腔室排在所述第二方向上的延伸長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述第二真空腔室排與所述第一真空腔室排并排且對齊設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述第一方向及所述第二方向均為線性方向。
6.根據(jù)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,多個所述第一前緩沖真空室分別為沿所述第一方向順次排布的第一低真空室及第一高真空室,所述第一高真空室內(nèi)的真空度高于所述第一低真空室內(nèi)的真空度;
所述第二真空腔室排包括沿所述第二方向順次排布的第二高真空室及第二低真空室,所述第二高真空室內(nèi)的真空度高于所述第二低真空室內(nèi)的真空度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述第一低真空室為進口真空室,所述第一高真空室包括沿所述第一方向排布且真空度逐漸增高的進口真空鎖定室及進口真空過渡室;
第二高真空室包括真空鍍膜室及沿第二方向排布且真空度逐漸降低的出口真空過渡室及出口真空鎖定室,所述第二低真空室為出口真空室。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述進口真空過渡室包括沿所述第一方向順次排布的第一真空過渡室及第二真空過渡室,所述進口真空室與所述出口真空室并排且對齊設(shè)置,所述進口真空鎖定室與所述出口真空鎖定室并排且對齊設(shè)置,所述第一真空過渡室與所述出口真空過渡室并排且對齊設(shè)置,所述第二真空過渡室與所述真空鍍膜室并排且對齊設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述真空鍍膜設(shè)備還包括第一箱體、第二箱體、第三箱體、第四箱體、第一隔板、第二隔板、第三隔板及第四隔板,所述第一箱體、所述第二箱體、所述第三箱體及所述第四箱體沿所述第一方向順次排布;
所述第一隔板將所述第一箱體分隔成所述進口真空室與所述出口真空室;
所述第二隔板將所述第二箱體分隔成所述進口真空鎖定室與所述出口真空鎖定室;
所述第三隔板將所述第三箱體分隔成所述第一真空過渡室與所述出口真空過渡室;
所述第四隔板將所述第四箱體分隔成所述第二真空過渡室與所述真空鍍膜室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





