[發明專利]用于處理基板的裝置及方法在審
| 申請號: | 201811444702.3 | 申請日: | 2018-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN109860076A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 李龍熙;李暎熏;鄭鎮優;林義相 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠淸南道天安*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 液體處理 液體處理腔 處理液 邊緣區域 處理基板 干燥腔室 中心區域 傳送 支承單元 高度比 完成時 保留 支承 | ||
1.一種用于處理基板的方法,所述方法包括:
液體處理步驟,其用于通過將處理液供應到液體處理腔室中的所述基板上,在所述基板上執行液體處理;
傳送步驟,其用于將所述基板從所述液體處理腔室傳送至干燥腔室;以及
干燥步驟,其用于在所述干燥腔室中干燥所述基板,
其中,在所述干燥步驟中,在除所述基板的中心區域外的所述基板的邊緣區域被支承單元支承的情況下,干燥所述基板,和
其中,在所述液體處理步驟中,在所述基板上執行所述液體處理,使得當所述液體處理在所述液體處理腔室中完成時,保留在所述基板的所述邊緣區域的所述處理液的高度比保留在所述基板的所述中心區域的所述處理液的高度要高。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述液體處理步驟包括:
液體供應步驟,其用于向旋轉的所述基板供應所述處理液;以及
液位調節步驟,其用于在所述液體供應步驟之后停止供應所述處理液并旋轉所述基板。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述基板在所述液體供應步驟中以第一速度旋轉并在所述液位調節步驟中以第二速度旋轉,且所述第二速度比所述第一速度低。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,所述液體供應步驟包括:
第一供應步驟,其用于以第一旋轉速度旋轉所述基板并且向所述基板以第一流速供應所述處理液;以及
第二供應步驟,其用于以第二旋轉速度旋轉所述基板并且向所述基板以第二流速供應所述處理液,
其中,所述第一旋轉速度比所述第二旋轉速度高,并且
其中,所述第一流速比所述第二流速大。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述液體處理步驟中,中心噴嘴和邊緣噴嘴同時將所述處理液供應到所述基板上,
其中,所述中心噴嘴將所述處理液供應到所述旋轉的基板的所述中心區域,并且所述邊緣噴嘴將所述處理液供應到所述旋轉的基板的所述邊緣區域,且
其中,所述邊緣噴嘴供應的所述處理液的流速比所述中心噴嘴供應的所述處理液的流速大。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述液體處理步驟中,所述處理液通過液體供應噴嘴供應到所述旋轉的基板上,
其中,從所述液體供應噴嘴供應的所述處理液的分配位置在所述基板的所述中心區域和所述邊緣區域之間移動,并且
其中,供應到所述基板的所述邊緣區域的所述處理液的流速被修改為大于供應到所述基板的所述中心區域的所述處理液的流速。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法,其中,在所述液體處理步驟中,通過依序地將第一液體、第二液體和第三液體供應到所述基板上來處理所述基板,并且所述處理液為所述第三液體,
其中,在所述干燥步驟中,使用超臨界流體將所述基板干燥,并且
其中,所述第三液體在所述超臨界流體中比所述第二液體溶解得更好。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述第三液體包括異丙醇,并且
其中,所述超臨界流體為二氧化碳。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,所述基板被傳送到所述干燥腔室中,所述處理液保留在所述基板上。
10.根據權利要求7所述的方法,其中,所述第一液體為蝕刻流體,且所述第二液體中和所述第一液體并且在所述第三液體中比所述第一液體溶解得更好。
11.根據權利要求1-6中任一項所述的方法,其中,當所述基板被傳送到所述干燥腔室中時,在所述基板的所述邊緣區域上的所述處理液的高度比在所述基板的所述中心區域上的所述處理液的高度高。
12.根據權利要求3-6中任一項所述的方法,其中,所述第二速度范圍從10RPM至100RPM。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





