[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811444702.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109860076A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李龍熙;李暎熏;鄭鎮(zhèn)優(yōu);林義相 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國(guó)忠淸南道天安*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 液體處理 液體處理腔 處理液 邊緣區(qū)域 處理基板 干燥腔室 中心區(qū)域 傳送 支承單元 高度比 完成時(shí) 保留 支承 | ||
本公開(kāi)為一種用于處理基板的方法,所述方法包括通過(guò)將處理液供應(yīng)到液體處理腔室中的所述基板上而在所述基板上執(zhí)行液體處理的液體處理步驟,將所述基板從所述液體處理腔室傳送至干燥腔室的傳送步驟,以及在干燥腔室中干燥所述基板的干燥步驟。在干燥步驟中,在除了基板的中心區(qū)域之外的基板的邊緣區(qū)域由支承單元支承情況下,干燥所述基板,并且在液體處理步驟中,在所述基板上執(zhí)行液體處理,使得當(dāng)液體處理在液體處理腔室中完成時(shí),保留在所述基板的邊緣區(qū)域上的處理液的高度比保留在所述基板的中心區(qū)域上的處理液的高度大。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2017年11月30日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2017-0162567和2018年03月16日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2018-0031000的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。
技術(shù)領(lǐng)域
在此描述的本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及用于處理基板的裝置和方法,尤其是涉及用于用供應(yīng)到基板上的液體處理該基板并隨后清除該液體的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體工藝包括清潔基板上的薄膜、異物或顆粒等的工藝。通過(guò)將基板放置在旋轉(zhuǎn)頭上以使圖案面朝上或朝下、在旋轉(zhuǎn)頭旋轉(zhuǎn)時(shí)將處理液供應(yīng)到基板上、以及干燥基板,來(lái)執(zhí)行清潔工藝。
目前,在清潔基板的工藝中使用超臨界流體。例如,提供用于通過(guò)將處理液供應(yīng)到基板上而在基板上執(zhí)行液體處理的液體處理腔室以及用于在液體處理之后通過(guò)使用超臨界流體從基板上清除處理液的干燥腔室,并且在液體處理腔室中完全地處理的基板通過(guò)傳送機(jī)械手傳送到干燥腔室中。
圖17為示出了用于使用超臨界流體干燥基板W的干燥腔室1000的視圖。干燥腔室1000在其內(nèi)部具有支承基板W的支承單元1200。支承單元1200支承基板W的底側(cè)的邊緣區(qū)域。
當(dāng)從基板W清除處理液時(shí),優(yōu)選的是通過(guò)超臨界流體從基板W的整個(gè)區(qū)域清除所有的處理液。如果通過(guò)自然干燥或加熱而不是超臨界流體來(lái)清除基板W上的處理液,則發(fā)生傾斜現(xiàn)象,其中圖案如圖18的“A”所示傾斜。
當(dāng)將基板W放置在支承單元1200上以通過(guò)使用具有圖17所示的結(jié)構(gòu)的干燥腔室1000來(lái)清除基板W上的處理液時(shí),如圖19所示,基板W在中間凹陷。由于基板W的凹陷,保留在基板W的邊緣區(qū)域上的部分處理液流向基板W的中心區(qū)域。在此情況下,基板W的邊緣區(qū)域上的處理液的厚度減少,并且在供應(yīng)超臨界流體之前,基板W的邊緣區(qū)域自然干燥。此外,因?yàn)楸仨殢幕錡的中心區(qū)域清除大量處理液,因此需要花費(fèi)大量時(shí)間來(lái)干燥處理液。隨著基板W的直徑的增加,這些問(wèn)題變得更大。
加熱干燥腔室1000使得供應(yīng)到干燥腔室1000中的用以清除處理液的流體保持超臨界狀態(tài)。在此情況下,結(jié)構(gòu)(例如,干燥腔室1000和支承單元1200的外壁)的溫度比干燥腔室1000的內(nèi)部空間中的溫度高。因此,通過(guò)來(lái)自與支承單元1200接觸的基板W的邊緣區(qū)域的加熱,蒸發(fā)更多處理液,并且基板W的邊緣區(qū)域可能通過(guò)加熱而干燥或自然干燥。
此外,即使在使用超臨界流體來(lái)干燥整個(gè)底側(cè)都被支承的基板W時(shí),也會(huì)遇到以下問(wèn)題。當(dāng)用處理液處理基板W之后通過(guò)干燥基板W從基板W清除處理液時(shí),在大量處理液保留在基板W上的情況下會(huì)花費(fèi)大量的時(shí)間來(lái)干燥基板W。如果使用小量的處理液來(lái)處理基板W以減少干燥時(shí)間,則保留在基板W上的液體不能充分地被處理液替換。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種基板處理裝置和方法,其用于當(dāng)使用超臨界流體干燥基板時(shí)提高干燥效率。
此外,本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種基板處理裝置和方法,其用于防止基板的邊緣區(qū)域自然干燥。
另外,本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種基板處理裝置和方法,其用于防止在干燥基板時(shí)花費(fèi)大量的時(shí)間來(lái)清除處理液。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





